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| Artikelnummer: | FGD3N60UNDF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 6A 60W DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6741 |
| 200+ | $0.262 |
| 500+ | $0.2517 |
| 1000+ | $0.2473 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.52V @ 15V, 3A |
| Testbedingung | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 5.5ns/22ns |
| Schaltenergie | 52µJ (on), 30µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 21 ns |
| Leistung - max | 60 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | NPT |
| Gate-Ladung | 1.6 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 9 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 6 A |
| Grundproduktnummer | FGD3N60 |
| FGD3N60UNDF Einzelheiten PDF [English] | FGD3N60UNDF PDF - EN.pdf |




FGD3N60UNDF
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der FGD3N60UNDF ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von onsemi. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Leistungselektronik-Anwendungen konzipiert.
NPT (Non-Punch Through) IGBT-Typ
Kollektor-Emitter Durchbruchspannung von 600 V
Maximaler Kollektorenstrom von 6 A
Pulsierter Kollektorenstrom von 9 A
Maximaler Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 2,52 V
Maximale Leistung von 60 W
Schaltenergie beim Einschalten von 52 µJ und beim Ausschalten von 30 µJ
Standard Eingangstyp
Gate-Ladung von 1,6 nC
Einschaltverzögerung von 5,5 ns und Ausschaltverzögerung von 22 ns
Reverse Recovery Time von 21 ns
Zuverlässiges und effizientes Leistungsschalten
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungselektronik-Anwendungen
Kompakte Bauform im Surface-Mount-Design, einfach zu integrieren
Trommelverpackung (Tape and Reel, TR)
TO-252-3, DPAK (2 Anschlussdrähte + Kühltab), SC-63-Gehäuse
Oberflächenmontagevariante
Das Produkt FGD3N60UNDF ist veraltet; es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich.
Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über die Webseite zu kontaktieren, um weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
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Wechselrichter
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Industrieund Unterhaltungselektronik
Das maßgebliche Datenblatt für den FGD3N60UNDF ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Informationen zu erhalten.
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