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| Artikelnummer: | FDMQ8205A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.4024 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 57V (Max) |
| Art | Bridge Rectifier |
| Supplier Device-Gehäuse | 12-MLP (5x4.5) |
| Serie | GreenBridge™ |
| Verhältnis - Eingang: Ausgang | Bridge (2) |
| Verpackung / Gehäuse | 12-WDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Interne (r) | Yes |
| Typ FET | N and P-Channel |
| Strom - Versorgung | 400 µA |
| Strom - Ausgabe (max) | - |
| Grundproduktnummer | FDMQ8205 |
| Anwendungen | Power Over Ethernet (PoE) |
| FDMQ8205A Einzelheiten PDF [English] | FDMQ8205A PDF - EN.pdf |




FDMQ8205A
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDMQ8205A ist eine GreenBridge™-Brücke aus N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, die für Anwendungen im Bereich Power over Ethernet (PoE) entwickelt wurde. Er verfügt über eine integrierte Vollbrücken-Gleichrichterdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall und hoher Effizienz.
Brücke aus Nund P-Kanal-MOSFETs
Integrierter Vollbrücken-Gleichrichter
Geringer Durchlassspannungsabfall
Hohe Effizienz
Optimiert für PoE-Anwendungen
Minimiert Energieverluste
Verbessert die Gesamtwirkungsgrad des Systems
Tape & Reel (TR) Verpackung
12-WDFN Gehäuse mit frei liegendem Pad
12-MLP (5x4,5) Fertigungsgehäuse
Das Produkt FDMQ8205A ist aktiv
Es sind derzeit keine äquivalenten oder alternativen Modelle verfügbar
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite
Power over Ethernet (PoE) Anwendungen
Das autoritativste technische Datenblatt für den FDMQ8205A finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen unseren Kunden, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
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SD 4GB
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FXADV II MICROSD 256GB 3D TLC GO
FXPRO I MICROSD 512MB SLC GOLD G
RASPBERRY PI FXADV II MICROSD 25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FXPRO I (HIGHIOPS) SD 1GB SLC DI
FXMAV MICROSD 512GB QLC COMMERCI
MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
FXMAV SD 1TB QLC COMMERCIAL GRAD
MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
FAIRCHILD DFN
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
FXADV II MICROSD 256GB 3D TLC DI
SD 2GB
MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
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