Deutsch
| Artikelnummer: | FDMC510P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $11.3251 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 12A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7860 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 18A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDMC510 |
| FDMC510P Einzelheiten PDF [English] | FDMC510P PDF - EN.pdf |




FDMC510P
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Der FDMC510P ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 20 V und einem Dauerstrom von 12 A (bei Umgebungstemperatur) bzw. 18 A (bei Siliziumchip-Temperatur). Das Bauteil ist in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse 8-MLP (3,3 x 3,3 mm) erhältlich und eignet sich ideal für verschiedene Leistungsanwendungen.
P-Kanal-MOSFET
20 V Drain-Source-Spannung
Kontinuierlicher Drain-Strom von 12 A (Ta) / 18 A (Tc)
Leistungsaufnahme von 2,3 W (Ta) / 41 W (Tc)
Oberflächenmontagegehäuse 8-MLP (3,3 x 3,3 mm)
Hohe Strombelastbarkeit
Geringe On-Widerstände
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse für platzsparende Designs
Cut Tape (CT) Verpackung
8-PowerWDFN-Gehäuse
8-MLP (3,3 x 3,3 mm) Gehäuse
Ideal für Oberflächenmontage
RoHS-konform
Produkt steht nicht vor der Einstellung
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam auf unserer Webseite für weitere Informationen.
Geeignet für vielfältige Stromversorgungsund Leistungssteuerungsanwendungen, wie etwa Netzteile, Motorantriebe und Lichtsteuerung.
Das umfassendste Datenblatt für den FDMC510P finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen zu erhalten.
Fordern Sie jetzt ein Angebot auf unserer Webseite an. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt heute.
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
MOSFET P-CH
MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
FAIRCHILD DFN3X3
FAIRCHILD QFN8
FAIRCHI QFN-8
ON QFN8
SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
ON QFN8
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FAIRCHI QFN
FAIRCHILD QFN
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
MOSFET P-CH 30V 8.5A
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/23
2024/04/13
2024/09/18
2025/07/16
FDMC510Ponsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|