Deutsch
| Artikelnummer: | FDD86102 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.5747 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 62W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1035 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta), 36A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDD861 |
| FDD86102 Einzelheiten PDF [English] | FDD86102 PDF - EN.pdf |




FDD86102
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
N-Kanal 100V 8A (Ta), 36A (Tc) 3,1W (Ta), 62W (Tc) Oberflächenmontage D-PAK (TO-252)
N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung 100V
Kontinuierlicher Drain-Strom 8A (Ta), 36A (Tc)
Leistungsaufnahme 3,1W (Ta), 62W (Tc)
Gehäuse für Oberflächenmontage D-PAK (TO-252)
Effiziente Stromsteuerung
Zuverlässige Leistung
Kompaktes Gehäuse für Oberflächenmontage
Cut Tape (CT)
TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse + Tab), SC-63 Gehäuse
Lieferanten-Gehäuse: D-PAK (TO-252)
Max. Leistungsaufnahme: 3,1W (Ta), 62W (Tc)
Elektrische Eigenschaften: N-Kanal MOSFET
Das FDD86102 ist ein aktives Produkt und steht nicht vor dem Auslauf.
Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie das FDD86101 und FDD86103.
Für weitere Informationen zu verfügbaren Optionen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf der Y-IC-Website.
Netzteile
Motorensteuerungen
Schaltkreise
Das umfassendste Datenblatt für den FDD86102 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FDD86102 auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um den besten Preis und die Verfügbarkeit zu sichern.
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
FAIRCHILD SOT-252
FDD8610Z FAIRCHILD
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
FAIRCHILD NA
MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
FCS TO252
FAIRCHI QFN
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3
MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
FDD86102onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|