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| Artikelnummer: | FDC658P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.8208 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-6 |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.6W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
| Grundproduktnummer | FDC658 |
| FDC658P Einzelheiten PDF [English] | FDC658P PDF - EN.pdf |




FDC658P
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDC658P ist ein P-Kanal MOSFET in einem SuperSOT™-6 Gehäuse, ausgestattet mit PowerTrench®-Technologie.
P-Kanal MOSFET
PowerTrench®-Technologie
SuperSOT™-6 Gehäuse
Geringer Durchlasswiderstand für effizienten Leistungsschalter
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse
Zuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich
Täschchen & Bahn (Tape & Reel, TR)
SuperSOT™-6 Gehäuse
SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Der FDC658P ist ein aktives Produkt.
Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
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Automobiltechnik
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