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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB86363-F085
onsemi
FDB86363-F085 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

onsemi FDB86363-F085

Artikelnummer: FDB86363-F085
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor/onsemi
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Datenblätte:
1.FDB86363-F085.pdf ···

PCN -Design/Spezifikation

Logo 17/Aug/2017.pdf

Umweltinformationen

onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

PCN -Obsoleszenz/ EOL

Mult Dev EOL 30/Mar/2023.pdf

Datenblätter

FDB86363-F085.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

FDWS8636x/FDBL86x 31/Mar/2022.pdf

FDB86363-F085 Seite PDF

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  • onsemi FDB86363-F085 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi FDB86363-F085 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)
    Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V
    Verlustleistung (max) 300W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 40 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)
    Grundproduktnummer FDB86363
    FDB86363-F085 Einzelheiten PDF [English] FDB86363-F085 PDF - EN.pdf
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    - Foto der Teile
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    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

FDB86363-F085 Produktdetails

Herstellerteilenummer

FDB86363-F085

Hersteller

onsemi - Y-IC ist ein qualifizierter Distributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Das FDB86363-F085 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der PowerTrench®-Serie von onsemi. Es ist für Anwendungen konzipiert, die hohe Ströme, niedrigen On-Widerstand und hohen Spannungsbetrieb erfordern.

Schlüsselmerkmale

– N-Kanal MOSFET

– PowerTrench®-Technologie

– Drain-Source-Spannung von 80 V

– Kontinuierlicher Drain-Strom von 110 A

– Maximaler On-Widerstand von 2,4 mΩ

– Maximale Gate-Ladung von 150 nC

Wichtigste Vorteile

– Hervorragende Leistungsfähigkeit bei der Stromversorgung

– Geringe Verluste durch Leitung

– Schnelle Schaltgeschwindigkeit

– Robustes und zuverlässiges Verhalten

Verpackung

– Cut Tape (CT) und Digi-Reel® Verpackung

– TO-263 (D2PAK)-Gehäuse

– 2 Anschlüsse + Anschlusslasche

Lebenszyklus

– Das FDB86363-F085 ist ein veraltetes Produkt

– Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich, wie z. B. FDP86300 und FDB86363

– Kunden wird empfohlen, unser Vertriebsteam über die Webseite für weitere Informationen zu Alternativen zu kontaktieren

Schlüsselanwendungsbereiche

– Netzteile

– Motorsteuerungen

– Netzumrichter

– Industrie- und Automobilanwendungen

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für das FDB86363-F085 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden werden empfohlen, Angebote für das FDB86363-F085 über unsere Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Angebot.

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Benutzerbewertung

  • Geor***cott

    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

    Works very well. I used AD8108ASTZ for video switching project. Stable and no noise problem.

    2026/03/20

  • Jaso***.

    Used the AD8108ASTZ in a video routing board and it worked perfectly. Clean switching and no noticeable signal degradation.

    2026/03/9

  • Devo***.

    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

  • Alex***

    Moderate quality chip. Works fine at room temperature, but in high temp conditions it seemed to drift. Not terrible, but not premium either.

    2026/02/28

  • Core***nalSourcing

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    2026/02/3

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    2026/01/28

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