Deutsch
| Artikelnummer: | FDB0165N807L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $11.4882 |
| 200+ | $4.4459 |
| 500+ | $4.2898 |
| 800+ | $4.2125 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263-7 |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 36A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23660 pF @ 40 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 304 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 310A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FDB0165 |
| FDB0165N807L Einzelheiten PDF [English] | FDB0165N807L PDF - EN.pdf |




FDB0165N807L
Y-IC ist ein hochwertiger Händler für onsemi-Produkte und bietet Kunden erstklassige Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB0165N807L ist ein N-Kanal-MOSFET mit einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 310A bei 25°C Cases temperature. Er besitzt einen maximalen On-Widerstand (Rds(on)) von 1,6 mΩ bei 36A und 10V Switch Voltage. Dieses Bauteil gehört zur PowerTrench®-Serie von onsemi.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 80V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 310A bei 25°C Cases temperature
Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 1,6 mΩ bei 36A und 10V Gate-Spannung
PowerTrench®-Technologie
Hohe Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für höhere Effizienz
PowerTrench®-Technologie für verbesserte Leistung
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-263-7, D2PAK (6 Kontakte + Kühlkörper) Gehäuse
Der FDB0165N807L ist ein aktives Produkt.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar, z. B. [Liste der Alternativmodelle].
Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Hochstrom-Stromversorgungen
Motorantriebe
Industrien und Automobilanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den FDB0165N807L steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Spezifikationen und Eigenschaften herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebotsanfragen für den FDB0165N807L auf unserer Webseite zu stellen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
FAIRCHILD TO-263-7
CONN D-SUB RCPT PNL MNT
CONN D-SUB PLUG PNL MNT
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
CONN D-SUB PLUG PNL MNT
FAIRCHI TO-263
100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
FDB024N04A FAIRCHILD
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG
CONN D-SUB PLUG PNL MNT
CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT
CONN GUIDE PLATE
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
FAIRCHI TO-263
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2026/05/21
2026/05/20
2026/05/20
2026/05/20
FDB0165N807Lonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|