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| Artikelnummer: | FDA50N50 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.3014 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
| Serie | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 24A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 625W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6460 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 48A (Tc) |
| FDA50N50 Einzelheiten PDF [English] | FDA50N50 PDF - EN.pdf |




FDA50N50
Y-IC ist ein Qualitätsanbieter von Produkten der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der FDA50N50 ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-N-Kanal-MOSFET im TO-3P-3-Gehäuse von onsemi. Er ist Teil der UniFET™-Serie und bietet ausgezeichnete Leistung für verschiedene Anwendungen in der Leistungsumwandlung und Steuerung.
N-Kanal-MOSFET
500 V Drain-Source-Spannung
48A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 105 mΩ bei 24A, 10V
Hohe Leistungsaufnahme von 625 W bei Gehäusetemperatur
Robustes Design für zuverlässige Leistung
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet
Der FDA50N50 ist in einem TO-3P-3 (TO-3P) Durchsteckgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit für Hochleistungsanwendungen.
Der FDA50N50 ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, über unsere Webseite mit unserem Vertrieb Kontakt aufzunehmen, um Informationen zu verfügbaren Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Stromumwandlung
Motorsteuerung
Industrieautomation
Schweißgeräte
Automotive-Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den FDA50N50 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den FDA50N50 über unsere Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
FAIRCHILD TO-3P
XTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMD
FAIRCHILD TO-3P
IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD
FDA50N50S FSC
XTAL OSC XO SMD
XTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMD
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
FAIRCHILD TO-247
ST TQFP100
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
IC AMP D DUAL/QUAD 270W 92HIQUAD
FDA38N08 FAIRCHILD
FAIRCHILD TO247
IC AMP CLASS D QUAD 50W 100TQFP
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