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| Artikelnummer: | DTA114YET1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Leistung - max | 200 mW |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
| Grundproduktnummer | DTA114 |
| DTA114YET1 Einzelheiten PDF [English] | DTA114YET1 PDF - EN.pdf |




DTA114YET1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Das DTA114YET1 ist ein vor-biasedes PNP-Bipolartransistor (BJT) in einem kleinen SC-75, SOT-416 Oberflächenmontagegehäuse.
– PNP-Bipolartransistor
– Vor-biased mit internen Basis-Emitter-Widerständen
– Oberflächenmontage im Gehäuse SC-75, SOT-416
– Kompaktes, platzsparendes Gehäuse
– Vor-biased für vereinfachtes Schaltungsdesign
– Zuverlässige Qualität von AMI Semiconductor / ON Semiconductor
– Gehäuse: Tape & Reel (TR)
– Montageart: Oberflächenmontage
– Gehäusetyp: SC-75, SOT-416
– Max. Leistung: 200mW
– Transistortyp: PNP - Vor-biased
– Max. Kollektorstrom (Ic): 100mA
– Max. Kollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch (Vce Breakdown): 50V
– Vce-Sättigung (Max.) bei Ib, Ic: 250mV @ 300A, 10mA
– Max. Kollektorkorte (Icutoff): 500nA
– DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
– Basiswiderstand (R1): 10kΩ
– Emitter-Basis-Widerstand (R2): 47kΩ
Dieses Produkt ist Bestandteil eines aktiven und verfügbaren Sortiments von AMI Semiconductor / ON Semiconductor. Es können vergleichbare oder alternative Modelle verfügbar sein. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam.
– Allgemeine Verstärkungs- und Schaltkreise
– Bias- und Steuerkreise
– Niedrigleistungs-Elektronikgeräte
Das offizielle Datenblatt für das DTA114YET1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Es wird empfohlen, dieses herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
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