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| Artikelnummer: | 2SB1216S-E |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PNP 100V 4A TP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2658 |
| 200+ | $0.1029 |
| 500+ | $0.0993 |
| 1000+ | $0.0974 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Transistor-Typ | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | TP |
| Serie | - |
| Leistung - max | 1 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Frequenz - Übergang | 130MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 140 @ 500mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 4 A |
| Grundproduktnummer | 2SB1216 |
| 2SB1216S-E Einzelheiten PDF [English] | 2SB1216S-E PDF - EN.pdf |




2SB1216S-E
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke onsemi. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der 2SB1216S-E ist ein PNP-Bipolar Junction Transistor (BJT) in einem TO-251-3-Gehäuse mit kurzen Anschlüssen, IPak, TO-251AA. Er gehört zur Baureihe der 2SB1216 Basisprodukte.
- Kollektorstrom (Ic) bis zu 4A
- Kollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch (BVCES) bis zu 100V
- Geringe Sattungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) von 500mV bei 200mA, 2A
- Hohes DC-Strom-Verstärkungsverhältnis (hFE) von mindestens 140 bei 500mA, 5V
- Leistung bis zu 1W
- Transitfrequenz (fT) von 130MHz
- Betriebstemperatur bis zu 150°C
- Eignet sich für Hochstrom-Schalt- und Verstärkeranwendungen
- Robuste Bauweise für zuverlässige Leistung
- Hervorragende elektrische Eigenschaften
Der 2SB1216S-E wird in einem TO-251-3-Gehäuse mit kurzen Anschlüssen, IPak, TO-251AA geliefert. Dieses Durchsteckgehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Parameter.
Der 2SB1216S-E ist ein auslaufendes Produkt. Kunden sollten unseren Vertrieb via Webseite kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
- Hochstrom-Schaltungen
- Leistungsausgangsstufen
- Audioverstärker
- Industriesteuerkreise
Das aktuellste Datenblatt für den 2SB1216S-E ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den 2SB1216S-E auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot für dieses zeitlich begrenzte Angebot!
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