Toshiba 2SC2879 Transistor: Vollständige Anleitung, Pinbelegung und Alternativen

Der 2SC2879 ist ein Hochleistungs-NPN-HF-Transistor von Toshiba.In diesem Artikel werden die wichtigsten Spezifikationen und absoluten Nennwerte des 2SC2879, Pinbelegung und mechanische Details, typische Kennlinien und deren Bedeutung für die Verstärkerleistung, praktische Anwendungen und mehr erläutert.

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Übersicht über den NPN-Transistor 2SC2879

Die 2SC2879 von Toshiba ist ein Hochleistungs-NPN-HF-Transistor, der für Kommunikationsgeräte entwickelt wurde, die eine starke, stabile Verstärkung erfordern.Es arbeitet hauptsächlich im HF-Band und ist für seine hervorragende Verstärkung, lineare Ausgabe und Haltbarkeit im Dauereinsatz bekannt.Aufgrund seiner internen Struktur und seines robusten Designs liefert es selbst unter anspruchsvollen HF-Lastbedingungen zuverlässige Leistung.

Dieser Transistor kann eine PEP-Ausgangsleistung von bis zu 100 W liefern und wird daher häufig in HF-Funksendern, Amateurfunk-Linearverstärkern und ähnlichen HF-Systemen eingesetzt.Sein Flanschpaket im TO-220-Stil trägt zur effizienten Wärmeableitung bei, während sein großer Verstärkungsbereich eine saubere und starke Signalverstärkung unterstützt.

Wenn Sie Interesse am Kauf des 2SC2879 haben, kontaktieren Sie uns bitte bezüglich Preis und Verfügbarkeit.

2SC2879 Transistor-Pinbelegungskonfiguration

Pin Nummer	Pin Name	Beschreibung
1	Emitter	Hauptsender Anschluss für den Stromfluss des Transistors.
2	Basis	Steuert die Transistorbetrieb und empfängt das Eingangs-HF-Signal.
3	Emitter	Zweiter Emitter Verbindung (üblich bei HF-Transistoren für bessere Erdung und Stabilität).
4	Sammler	Hauptkollektor Terminal, an das der verstärkte HF-Ausgang geliefert wird.

2SC2879 Transistor-Alternativen

Modell	Typ	Ausgabe Leistung (ca.)	Kompatibilität
2SC2879A	NPN-HF-Leistung Transistor	100 W PEP	Verbessert/aktualisiert Version;Direktes Upgrade.
MRF455	NPN RF Transistor	60–80 W	Kompatibel in viele HF-Verstärker;etwas geringere Leistung.
MRF421	NPN RF Transistor	80–100 W	Gute HF-Linearität Verstärkeraustausch.
SD1446	NPN-HF-Leistung Transistor	60–70 W	Wird oft als verwendet Plug-in-Alternative in HF-Stufen.
2SC2290	NPN-HF-Leistung Transistor	80W	Gewöhnlich Ersatz;geringere Leistung, aber ähnliches Verhalten.
2SC3133	NPN RF Transistor	60–80 W	Kann verwendet werden ähnliche HF-Leistungsverstärkerschaltungen.

2SC2879 Transistorspezifikationen

Parameter	Wert
Transistortyp	NPN Silizium BJT (HF-Leistungstransistor)
Bewerbung	HF-Band-HF-Leistung Verstärker (2–30 MHz), typischerweise 27–28 MHz
Ausgangsleistung (PEP)	100 W bei 12,5 V
Kraftgewinn	~13 dB (typisch)
Sammler Effizienz	≥ 35 %
IMD (Intermodulationsverzerrung)	–24 dB (bei 100 W PEP)
Sammlerbasis Spannung (VCBO)	45 V
Sammler-Emitter Spannung (VCEO / VCES)	18V / 45V
Emitter-Basis Spannung (VEBO)	4 V
Sammler Strom (IC max)	25 A
Kollektorleistung Verlustleistung (PC)	250 W
Kreuzung Temperatur (Tj max)	175 °C
Gleichstromverstärkung (hFE)	10 – 150 (variiert mit Arbeitspunkt)
Übergang Frequenz (fT)	~100 MHz
Paket / Pinbelegung	TO-247-Stil; Pin 1 = Basis, Pin 2 = Kollektor, Pin 3 = Emitter

Absolute Höchstbewertungen

Charakteristisch	Wert
Sammlerbasis Spannung (VCBO)	45 V
Sammler-Emitter Spannung (VCES)	45 V
Sammler-Emitter Spannung (VCEO)	18 V
Emitter-Basis Spannung (VEBO)	4 V
Sammler Strom (IC)	25 A
Kollektorleistung Verlustleistung (PC)	250 W
Kreuzung Temperatur (Tj)	175 °C
Lagerung Temperaturbereich (Tstg)	–65 ~ 175 °C

Elektrische Eigenschaften

Typische Kennlinie

(Po vs. Pi) zeigt, wie die Ausgangsleistung des 2SC2879 zunimmt, wenn die Eingangsantriebsleistung erhöht wird.Die Kurve zeigt, dass der Transistor bei niedrigeren Eingangspegeln eine starke Verstärkung liefert und sich mit zunehmender Ansteuerung allmählich der Sättigung nähert.Das bedeutet, dass das Gerät bei kleiner bis mittlerer Eingangsleistung effizient verstärkt, sich die Ausgangsleistung jedoch verlangsamt, wenn sich die Eingangsleistung der Obergrenze nähert.Der für diese Messung verwendete Arbeitspunkt liegt bei etwa 28 MHz bei einer 12,5-V-Versorgung und einem Ruhestrom von 100 mA, was typische HF-Verstärkerbedingungen widerspiegelt.

Das zweite Diagramm (IMD vs. Po) veranschaulicht, wie sich die Intermodulationsverzerrung mit der Ausgangsleistung ändert.Bei niedrigeren Ausgangspegeln verbessert sich die IMD (bewegt sich negativer) und erreicht ihre beste Leistung bei etwa 60–70 W PEP.Je näher die Ausgangsleistung der vollen Leistungsfähigkeit des Transistors kommt, desto schlimmer wird die Verzerrung.Dieses Verhalten ist für HF-Leistungstransistoren normal: Die Linearität ist bei mittleren Leistungspegeln am besten, während das Streben nach maximaler Ausgangsleistung die nichtlinearen Effekte verstärkt.

2SC2879 Transistoranwendungen

• Lineare HF-Leistungsverstärker (Hochfrequenz).

• CB-Funksender (Citizens Band) und Verstärker

• Amateurfunk (Ham Radio) HF-Bandverstärker, insbesondere 10–12 Meter

• SSB (Single Sideband) lineare Verstärkungsstufen

• Push-Pull-HF-Verstärkerkonfigurationen für hohe Ausgangsleistung

• Ersatz- oder Upgrade-Transistor in älteren HF-Verstärkergeräten

• HF-Leistungsstufen, die einen hohen Strom und eine hohe Verstärkung bei 28 MHz erfordern

• Mobilfunk- und Basisstations-Kommunikationssender

• Hobby- und kommerzieller Bau und Reparatur von HF-Leistungsverstärkern

Vergleich zwischen 2SC2879 und 2SC3240

Parameter	2SC2879	2SC3240
Transistortyp	NPN-HF-Leistung Transistor	NPN-HF-Leistung Transistor
Verwendungszweck	HF Lineare HF Verstärker (SSB/CW)	HF/VHF-HF-Leistung Verstärker
Frequenzbereich	2–30 MHz	Bis zu ~60 MHz (variiert je nach Hersteller)
Sammler-Emitter Spannung (Vceo)	~30 V	~60 V
Sammlerbasis Spannung (Vcbo)	~45 V	~80 V
Sammler Strom (Ic max)	25 A	30 A (abhängig auf Quelle)
Macht Verlustleistung (PC)	~250 W	~300 W (variiert laut Datenblatt)
Ausgangsleistung (Typische Verwendung)	~100 W PEP @ 12,5 V	Höheres Potenzial Ausgang bei höherer Versorgungsspannung
Versorgungsspannung (Typisch)	12,5 V HF Verstärker	Entwickelt für höhere Spannungsstufen
Gewinn (hFE / Leistungsgewinn)	Hoher Gewinn bei niedrigem Spannung (wird häufig in CB-/Amateur-Verstärkern verwendet)	Höherer Gewinn bei höhere Spannung;oft effizienter
Pakettyp	TO-3P / Flansch RF-Paket	TO-3P / HF-Leistung Paket
Thermisch Widerstand	Niedrig (erfordert gute Wärmeableitung)	Niedriger (besser thermischer Spielraum in vielen Designs)
Voreingenommen	Geeignet für Niederspannungs-Linearklasse AB	Erfordert Versorgung Spannungsbetrachtung
Verfügbarkeit	Werden selten; Es gibt viele Klone	Moderner Teil;oft einfacher zu beschaffen
Am besten für	12–14 V HF Linearverstärker	Höhere Spannung HF-Stufen benötigen mehr Headroom
Austauschbarkeit	Direkt Austausch nur bei identischen Spannungsverhältnissen	Keine direkte Drop-In;Die Schaltung muss möglicherweise geändert werden

2SC2879 Mechanische Abmessungen

Vorteile und Einschränkungen

2SC2879 Vorteile	2SC2879 Einschränkungen
Hohe HF-Leistung Ausgang, geeignet für HF/VHF-Verstärkung	Auslaufmodell / veraltet;Echte Einheiten sind schwieriger zu beschaffen
Hervorragender Gewinn und Effizienz in Amateurfunk- und CB-Funkanwendungen	Anfällig für Fälschungen, die Leistung und Zuverlässigkeit beeinträchtigen
Robust Konstruktion mit gutem thermischen Handling	Erfordert ordnungsgemäß Kühlkörper, um eine Überhitzung bei hoher Leistung zu vermeiden
Stabil Leistung über weite Frequenzbereiche	Nicht ideal für moderne hocheffiziente LDMOS-basierte HF-Designs
Kompatibel mit viele ältere HF-Verstärkerschaltungen	Höhere Kosten fällig zur begrenzten Verfügbarkeit

Hersteller

Toshiba ist bekannt für die Herstellung hochwertiger Halbleiterkomponenten mit hoher Zuverlässigkeit, gleichbleibender Leistung und fortschrittlichen Herstellungsprozessen.Das Unternehmen ist auf Leistungsgeräte, HF-Transistoren, diskrete Komponenten und integrierte Schaltkreise für Industrie-, Verbraucher- und Kommunikationsanwendungen spezialisiert.Seine technischen Fähigkeiten gewährleisten stabile elektrische Eigenschaften, effizientes Wärmemanagement und langfristige Haltbarkeit über ein breites Spektrum an Betriebsbedingungen.

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Welche Spannung eignet sich am besten für den Betrieb eines 2SC2879 in HF-Verstärkern?

Der 2SC2879 bietet die beste Leistung bei 12–14 V, wodurch eine gute Verstärkung und Linearität erhalten bleibt und gleichzeitig übermäßige Wärme und Verzerrungen vermieden werden.

2. Wie kann man einen 2SC2879 richtig für den linearen SSB-Betrieb vorspannen?

Verwenden Sie eine stabile Vorspannung der Klasse AB mit einem Leerlaufstrom von ca. 100–150 mA, um saubere SSB-Signale und eine reduzierte IMD zu erzielen.

3. Kann ein 2SC2879 in einem Push-Pull-HF-Verstärkerdesign verwendet werden?

Ja.Zwei aufeinander abgestimmte 2SC2879-Transistoren bilden eine effiziente Push-Pull-Stufe und verbessern die Ausgangsleistung, Linearität und Wärmeverteilung.

4. Wie erkenne ich, ob mein 2SC2879 gefälscht ist?

Überprüfen Sie, ob unregelmäßige Markierungen, falsches Gewicht, außermittiger Druck, ungewöhnliche Schriftarten und schlechte Wärmeleistung während des Betriebs vorhanden sind.

5. Benötigt der 2SC2879 eine Impedanzanpassung?

Ja.Für maximale Verstärkung, Effizienz und Stabilität sind geeignete 50-Ohm-Anpassungsnetzwerke am Ein- und Ausgang erforderlich.

6. Wie hoch ist der typische Gewinn eines 2SC2879 bei 28 MHz?

Bei 28 MHz liefert der Transistor je nach Vorspannung, Last und Schaltungsdesign typischerweise eine Verstärkung von etwa 13 dB.

7. Was ist der beste Ersatz, wenn ich eine höhere Effizienz als den 2SC2879 benötige?

Moderne LDMOS-HF-Transistoren wie der MRF300 oder BLF188XR bieten eine höhere Effizienz, Spannungstoleranz und Robustheit.