Vollständige Anleitung zum S8550 PNP-Transistor (SOT-23-Paket)

Der S8550-Transistor ist ein kompakter und effizienter PNP-Bipolartransistor (BJT), der häufig in Verstärkungs- und Schaltanwendungen mit geringem Stromverbrauch verwendet wird.Mit seinem oberflächenmontierbaren SOT-23-Gehäuse bietet er eine hohe Stromverstärkung, eine niedrige Sättigungsspannung und einen stabilen Betrieb über einen weiten Temperaturbereich.In diesem Artikel werden die Spezifikationen, Funktionen, Anwendungen, Eigenschaften und wichtigen Herstellerinformationen des S8550-Transistors erläutert.

Katalog

Was ist S8550?

Die S8550 ist ein PNP-Bipolartransistor (BJT), der in einem kompakten SOT-23-Gehäuse zur Oberflächenmontage untergebracht ist und für die allgemeine Verstärkung und Schaltung konzipiert ist.Er arbeitet mit einer Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von etwa –25 V, einem Kollektorstrom von bis zu 500 mA und einer Verlustleistung von etwa 300 mW.Mit einer Übergangsfrequenz nahe 150 MHz verarbeitet es effizient niedrige bis mittlere Signalfrequenzen und behält gleichzeitig eine stabile Leistung über einen Temperaturbereich von –55 °C bis +150 °C bei.

Dieser in SMD-Kunststoff gekapselte Transistor wird häufig in der Signalverstärkung, LED-Ansteuerung, Relaisschaltung und Steuerschaltungen mit geringem Stromverbrauch eingesetzt.Aufgrund seiner geringen Stellfläche eignet es sich ideal für kompakte PCB-Designs, während die SOT-23-Kapselung zuverlässigen Schutz und Wärmeableitung für die Oberflächenmontage bietet.Der S8550 lässt sich gut mit dem NPN-Transistor S8050 für komplementäre Push-Pull-Verstärkerdesigns oder allgemeine Schaltanwendungen kombinieren.

Wenn Sie am Kauf des S8550 interessiert sind, kontaktieren Sie uns bitte bezüglich Preis und Verfügbarkeit.

S8550-Alternativen und Äquivalente

Modell	Typ / Paket	Spannung (VCE)	Aktuell (IC)	Macht Zerstreuung	Notizen
BC807-25	PNP / SOT-23	–45 V	–0,5 A	250 mW	Höhere Spannung Bewertung;Guter Allround-Drop-In-Ersatz
MMBT8550LT1G	PNP / SOT-23	–25 V	–0,5 A	300 mW	Dieselbe Familie, Gleiche Spezifikationen, direkt kompatibel
SS8550 Y2	PNP / SOT-23	–25 V	–1,5 A	500 mW	Hochstrom Variante;geeignet für stärkere Belastungen
BC807-25B5000	PNP / SOT-23	–45 V	–0,5 A	250 mW	Nexperia SMD Version, enge Toleranz, zuverlässig in Audioschaltungen
SS8550CTA	PNP / SOT-23	–25 V	–1,5 A	500 mW	Industriell Note;Ideal zum Hochstromschalten
Generisches PNP SOT-23	PNP / SOT-23	–30 V (typ.)	–0,3 A – 0,5 A	200–300 mW	Budgetversion; Bestätigen Sie die Pinbelegung und Verstärkung vor der Verwendung
PNP –500 mA / –45 V (RS)	PNP / SOT-23	–45 V	–0,5 A	300 mW	Höhere Spannung Marge;nützlich für Strom- oder Steuerkreise

Pin-Konfiguration des S8550-Transistors

Pin Nein.	Terminal	Beschreibung
1	Basis (B)	Der Kontrollstift Das löst den Transistorbetrieb aus.
2	Emitter (E)	Das Terminal durch den der Strom den Transistor verlässt.
3	Sammler (C)	Das Wichtigste stromführender Anschluss, der mit der Last verbunden ist.

S8550-Spezifikationen

S8550 Maximale Bewertungen

Symbol	Parameter	Wert	Einheit
VCBO	Sammlerbasis Spannung	-40	V
VCEO	Kollektor–Emitter Spannung	-25	V
VEBO	Emitter-Basis Spannung	-5	V
Ic	Sammler Aktuell – Kontinuierlich	-0,5	A
Stk	Kollektorleistung Zerstreuung	0,3	W
Tj	Kreuzung Temperatur	150	°C
Tstg	Lagerung Temperatur	-55 ~ 150	°C

Elektrische Eigenschaften des S8550

Parameter	Symbol	Testen Bedingungen	Spezifikation
Sammlerbasis Durchbruchspannung	V(BR)CBO	IC = –100µA, IE = 0	–40 V
Kollektor–Emitter Durchbruchspannung	V(BR)CEO	IC = –1mA, IB = 0	–25 V
Emitter-Basis Durchbruchspannung	V(BR)EBO	IE = –100µA, IC = 0	–5 V
Sammler Abschaltstrom	IchCBO	VCB = –40 V, IE = 0	Maximal: –0,1 µA
Sammler Abschaltstrom	IchCEO	VCE = –20 V, IB = 0	Maximal: –0,1 µA
Emitter-Abschaltung Aktuell	IchEBO	VEB = –3V, IC = 0	Maximal: –0,1 µA
Gleichstromverstärkung (hFE1)	hFE(1)	VCE = –1V, IC = –50mA	120 – 400
Gleichstromverstärkung (hFE2)	hFE(2)	VCE = –1V, IC = –500mA	Min.: 50
Kollektor–Emitter Sättigungsspannung	VCE (Sa)	IC = –500mA, IB = –50mA	Max: –0,6 V
Basis-Emitter Sättigungsspannung	VBE(Sa)	IC = –500mA, IB = –50mA	Max: –1,2 V
Übergang Häufigkeit	fT	VCE = –6V, IC = –20mA, f = 30MHz	Min.: 150 MHz

S8550-Funktionen

• Typ: PNP-Bipolartransistor für Niederspannungsanwendungen.

• Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): –25 V maximal, geeignet für Stromkreise mit geringer Leistung.

• Kollektor-Basis-Spannung (Vcb): –40 V für stabilen Betrieb bei mäßiger Spannung.

• Kollektorstrom (Ic): Bis zu 1,5 A, ermöglicht den Einsatz beim Schalten mittlerer Last.

• DC-Verstärkung (hFE): 85–300, je nach Strom, sorgt für eine gute Verstärkung.

• Übergangsfrequenz (fT): Etwa 100 MHz, ideal für Signalverstärkung und schnelles Schalten.

• Sättigungsspannung (Vce sat): Niedrig, typischerweise –0,5 V, wodurch Leistungsverluste minimiert werden.

• Gehäuse: Erhältlich in den Formaten TO-92 (Durchsteckmontage) und SOT-23 (Oberflächenmontage).

• Wärmewiderstand: Effiziente Wärmeableitung für zuverlässigen Betrieb.

S8550-Anwendungen

• Audioverstärker: Werden in Audiostufen mit geringer Leistung verwendet, um schwache Signale zu verstärken.

• LED-Treiber: Steuert und versorgt LEDs in Anzeige- und Anzeigeschaltkreisen.

• Relaistreiber: Schaltet Relais und kleine Lasten in Automatisierungsschaltkreisen.

• Signalverstärkung: Verstärkt analoge oder digitale Signale in verschiedenen Geräten.

• Schaltkreise: Fungiert als elektronischer Schalter in Niederspannungssystemen.

• Spannungsregelung: Arbeitet mit Reglern zur Vorspannungs- und Rückkopplungssteuerung.

• Batteriebetriebene Geräte: Aufgrund des geringen Stromverbrauchs ideal für kleine Geräte.

• Motortreiber: Steuert Mini-Gleichstrommotoren in Hobby- und Schwachstromanwendungen.

• Logikschaltungen: Schnittstellen zwischen verschiedenen Logikebenen in digitalen Systemen.

• Sensorschaltkreise: Verstärkt Sensorausgänge für Mikrocontroller-Eingänge.

S8550-Bewertungen und Kennlinien

Abbildung 1 Kollektorstrom (Ic) vs. Kollektor-Emitter-Spannung (Vce).Dieses Diagramm zeigt, wie sich der Kollektorstrom (Ic) mit der Kollektor-Emitter-Spannung (Vce) bei unterschiedlichen Basisströmen (Ib) ändert, wenn der Transistor in einer gemeinsamen Emitter-Konfiguration bei 25 °C betrieben wird.

Jede Kurve stellt einen spezifischen Basisstrom im Bereich von –40 µA bis –400 µA dar.Mit zunehmendem Basisstrom steigt auch der Kollektorstrom, was auf eine stärkere Transistorleitung hinweist.Die Kurven werden bei höheren Spannungen flacher, was zeigt, dass der Transistor in seinen aktiven Bereich eintritt, in dem Ic nahezu konstant wird.Dieses Verhalten zeigt, wie der S8550 den Strom verstärkt – eine kleine Änderung des Basisstroms erzeugt eine viel größere Änderung des Kollektorstroms.

Die Abbildung 2 Kollektorverlustleistung (Pc) vs. Umgebungstemperatur (Ta).Diese Kurve zeigt, wie viel Leistung der Transistor abhängig von der Umgebungstemperatur sicher abführen kann.Bei 25 °C kann der S8550 etwa 400 mW verbrauchen, mit steigender Umgebungstemperatur nimmt die Verlustleistungskapazität jedoch linear ab.Bei etwa 150°C sinkt sie auf nahezu Null.

Das bedeutet, dass der Transistor innerhalb seiner thermischen Grenzen betrieben werden muss – höhere Temperaturen erfordern einen Betrieb mit geringerer Leistung, um Überhitzung und Schäden zu verhindern.

Abbildung 3 Kapazität vs. Sperrspannung.Dieses Diagramm zeigt, wie sich die Sperrschichtkapazität des Transistors mit der Sperrvorspannung ändert.Es umfasst zwei Kurven – Cob (Kollektor-Basis-Kapazität) und Cib (Eingangskapazität) – gemessen bei 1 MHz und 25 °C.Mit zunehmender Sperrspannung verringern sich beide Kapazitäten.Dies geschieht, weil eine höhere Sperrvorspannung den Verarmungsbereich erweitert und die Kapazität verringert.Die niedrigen Kapazitätswerte (im Picofarad-Bereich) weisen darauf hin, dass der S8550 Signale schnell schalten kann und sich somit für Hochfrequenz- und Verstärkungsanwendungen eignet.

Die Abbildung 4: Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat) vs. Kollektorstrom (Ic).Diese Kurve zeigt die Beziehung zwischen der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und dem Kollektorstrom bei 25 °C.Mit zunehmendem Kollektorstrom steigt auch die Sättigungsspannung allmählich an.Ein niedriger VCEsat-Wert bedeutet, dass der Transistor im voll eingeschalteten Zustand effizient und mit minimalem Spannungsverlust leiten kann.Diese Eigenschaft zeigt, dass der S8550 eine gute Sättigungsleistung bietet, die einen geringen Leistungsverlust und eine bessere Schalteffizienz in Verstärker- und Schaltkreisen gewährleistet.

S8550 Mechanische Zeichnung

Symbol	Abmessungen in Millimetern		Abmessungen in Zoll
	Min	Max	Min	Max
A	0,900	1.150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1.050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2.800	3.000	0,110	0,118
E	1.200	1.400	0,047	0,055
E1	2.250	2.550	0,089	0,100
e	0,950 TYP	—	0,037 TYP	—
e1	1.800	2.000	0,071	0,079
L	0,550 REF	—	0,022 REF	—
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Empfehlen Sie das Pad-Layout

Das Diagramm zeigt die empfohlenen PCB-Pad-Abmessungen für die Montage des S8550-Transistors in einem SOT-23-Gehäuse.Das Pad-Layout gewährleistet eine einwandfreie Verlötung, elektrischen Kontakt und mechanische Stabilität auf der Leiterplatte.Der Abstand zwischen den Pads ist genau definiert – mit einem horizontalen Abstand von 1,9 mm zwischen den unteren Pads und einem vertikalen Abstand von 2,02 mm zum oberen Pad.Jedes Pad misst etwa 0,6 mm × 0,8 mm und ermöglicht so eine zuverlässige Wärmeableitung und Lötstellenbildung.

Die Layoutabmessungen werden in Millimetern gemessen, mit einer allgemeinen Toleranz von ±0,05 mm.Dies gewährleistet ein präzises PCB-Design und Kompatibilität mit automatisierten Montageprozessen.

S8550 LED-Treiberschaltung

Einfache Beispielschaltung mit dem S8550 PNP-Transistor als LED-Treiber, der von einem Raspberry Pi I/O-Pin gesteuert wird.Die Schaltung ermöglicht das Ein- und Ausschalten der LED basierend auf dem digitalen Signal des Pi und sorgt gleichzeitig für eine sichere Verwaltung des erforderlichen Stroms.

Der Widerstand R1 (1,2 kΩ) begrenzt den Basisstrom vom Pi und schützt so den Transistor und den I/O-Pin.R2 (150 Ω) sorgt für die Vorspannungsstabilisierung und R4 (1,8 kΩ) zieht die Basis auf Masse und hält den Transistor ausgeschaltet, wenn kein Signal vorhanden ist.R3 (22 Ω) begrenzt den Strom durch die LED (D1), um Schäden zu verhindern und die richtige Helligkeit sicherzustellen.

Wenn der Raspberry Pi ein LOW-Signal ausgibt, wird der Basis-Emitter-Übergang in Durchlassrichtung vorgespannt, wodurch der Transistor eingeschaltet wird und Strom durch die LED fließen kann, wodurch diese aufleuchtet.Wenn der Pi HIGH ausgibt, schaltet sich der Transistor aus und die LED erlischt.

Diese Schaltung zeigt, wie der S8550-Transistor als zuverlässiger Schalter oder Treiber in Niederspannungsschaltkreisen fungieren kann.

Vorteile und Einschränkungen des S8550

S8550 Vorteile

• Hohe Stromverstärkung (hFE): Bietet eine starke Verstärkung, sodass kleine Basisströme größere Kollektorströme effizient steuern können.

• Niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)): Sorgt für minimalen Leistungsverlust beim Schalten und verbessert so die Energieeffizienz.

• Kompaktes SOT-23-Gehäuse: Ideal für moderne kompakte Leiterplatten und Schaltungsdesigns mit hoher Dichte.

• Guter Frequenzgang: Funktioniert gut in Audiofrequenz- und Kleinsignalverstärkerschaltungen.

• Thermische Stabilität: Funktioniert zuverlässig in normalen Temperaturbereichen mit gleichbleibenden Eigenschaften.

• Einfache Vorspannung und Steuerung: Die PNP-Konfiguration vereinfacht die Schaltungsintegration mit NPN-Gegenstücken in Gegentakt- oder Komplementärstufen.

S8550-Einschränkungen

• Geringe Leistungsaufnahme: Mit einer maximalen Verlustleistung von etwa 400 mW ist es nicht für Anwendungen mit hoher Leistung geeignet.

• Begrenzte Nennspannung: Das Gerät unterstützt normalerweise bis zu –25 V, was die Verwendung in Stromkreisen mit höherer Spannung einschränkt.

• Moderate Schaltgeschwindigkeit: Obwohl sie für den allgemeinen Gebrauch ausreichend ist, ist sie nicht für hochfrequente oder schnell schaltende digitale Anwendungen optimiert.

• Wärmeempfindlichkeit: Die Leistung kann sich bei hohen Umgebungstemperaturen verschlechtern, wenn keine ordnungsgemäße Wärmeableitung gewährleistet ist.

Hersteller

Der S8550-Transistor wird von mehreren renommierten Unternehmen hergestellt, darunter UMW (UMW IC), Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd., YANGJIE Technology, JCET Group Co., Ltd., Unisonic Technologies und Wing Shing Computer Components.Es wird auch von Firmen wie NextGen Components, Inc. vertrieben, die verschiedene S8550-Versionen anbieten – typischerweise PNP-Transistoren in SOT-23-Gehäusen mit einer Nennspannung von 25 V und 0,5 A. Diese Hersteller gewährleisten eine breite Verfügbarkeit und konstante Leistung bei Anwendungen in der Unterhaltungselektronik, Verstärkern und Schaltkreisen.

Fazit

Der S8550 ist ein weit verbreiteter PNP-Transistor für elektronische Designs mit geringem Stromverbrauch.Aufgrund seiner zuverlässigen Verstärkungseigenschaften, des kompakten SOT-23-Formfaktors und der Kompatibilität mit modernen PCB-Layouts eignet es sich für Audio-, Signal- und Schaltkreise.Auch wenn die Leistungsbelastbarkeit und die Hochfrequenzleistung eingeschränkt sind, ist es aufgrund seiner Vorteile – wie geringer Spannungsabfall, thermische Stabilität und einfache Integration – eine bevorzugte Wahl für alltägliche Schaltungsanwendungen.

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Wofür wird der S8550-Transistor verwendet?

Der S8550-Transistor wird hauptsächlich für Verstärker- und Schaltanwendungen mit geringem Stromverbrauch verwendet, z. B. zum Ansteuern von LEDs, zum Steuern von Relais, zum Verstärken von Audiosignalen und zum Betreiben kleiner Gleichstrommotoren.

2. Ist der S8550 ein PNP- oder NPN-Transistor?

Der S8550 ist ein PNP-Transistor, was bedeutet, dass Strom vom Emitter zum Kollektor fließt, wenn die Basis relativ zum Emitter nach unten gezogen wird.

3. Was ist der Unterschied zwischen S8050 und S8550?

Der S8050 ist ein NPN-Transistor, während der S8550 sein PNP-Ergänzungsmittel ist.Sie werden oft zusammen in Gegentaktverstärkern oder Schaltkreisen verwendet, um eine ausgewogene Leistung zu erzielen.

4. Wie testet man einen S8550-Transistor mit einem Multimeter?

Stellen Sie das Multimeter auf den Diodenmodus und prüfen Sie dann die Basis-Emitter- und Basis-Kollektor-Übergänge.Ein Vorwärtswert (ca. 0,6–0,7 V) und kein Rückwärtswert weisen auf einen fehlerfreien Transistor hin.

5. Kann ich S8550 durch BC807 oder SS8550 ersetzen?

Ja.BC807 und SS8550 sind gängige Äquivalente mit ähnlichen Spannungs- und Stromwerten, aber überprüfen Sie vor dem Austausch immer die Pin-Konfiguration und die Verstärkung.