Alles über den Allzweck-NPN-Transistor BC639

Der BC639 ist ein kompakter NPN-Bipolartransistor mit Durchgangsbohrung, der ursprünglich von Fairchild stammt und jetzt von ONSEMI hergestellt wird.In diesem Artikel werden die wichtigsten Spezifikationen und die Pinbelegung des BC639, Beispiele für die Arbeit im Schaltkreis, die Interpretation von Kennlinien, ähnliche Äquivalente sowie praktische Auswahl-, Test- und Anwendungstipps besprochen.

Katalog

BC639 NPN-Transistor – Übersicht

Die BC639 ist ein Hochspannungs-NPN-Bipolartransistor, hergestellt von Fairchild/onsemi.Konzipiert für allgemeine Verstärkung und Schaltung mittlerer Leistung.Er arbeitet mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 80 V, unterstützt einen Kollektorstrom von bis zu 1 A und bietet zuverlässige Leistung im kompakten TO-92-Gehäuse.Mit einem hFE-Bereich von 40–160 und einer Übergangsfrequenz um 50 MHz bietet es stabile Verstärkung und effizientes Schalten für eine Vielzahl von Anwendungen mit geringem Stromverbrauch.

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BC639 CAD-Modelle

BC639 Pinout-Konfiguration

Pin-Nummer	Pin-Name	Funktion
1	Emitter (E)	Strom fließt raus;in den meisten Stromkreisen mit der Masse oder der Minusseite verbunden.
2	Sammler (C)	Hauptstrom Eingabe;Wird zum Schalten oder Verstärken an die Last angeschlossen.
3	Basis (B)	Kontrollen Transistorbetrieb;Ein kleiner Eingangsstrom reguliert den Kollektor-Emitter aktuell.

Alternativmodell BC639

Modell	Hersteller	VCEO (maximale Spannung)	IC (Max. Strom)	Paket
MPSA06	onsemi, Zentraler Halbleiter	80 V	500mA	TO-92
BC639-16 / BC639-Serie	onsemi	80 V	1 A	TO-92
BD139	STMicroelectronics, Nexperia, Onsemi	80 V	1,5 A	TO-126
BD237	STMicroelectronics	60 V	2 A	TO-220
2N5551	onsemi, Fairchild	160 V	600 mA	TO-92
BC337-40	STMicroelectronics, Nexperia	45 V	800 mA	TO-92
BC488	Verschiedene Hersteller	30–60 V	500mA	TO-92

Technische Daten des BC639

Parameter	Wert
Montage Stil	Durchgangsloch
Paket / Fall	TO-92-3
Transistor Polarität	NPN
Konfiguration	Single
Maximaler Gleichstrom Kollektorstrom (IC)	1 A
Sammler-Emitter Spannung (VCEO Max)	80 V
Sammlerbasis Spannung (VCBO)	80 V
Emitter-Basis Spannung (VEBO)	5 V
Sammler-Emitter Sättigungsspannung	500 mV
Macht Verlustleistung (Pd)	625 mW
Gewinn Bandbreitenprodukt (fT)	200 MHz
Mindestens Betriebstemperatur	−55 °C
Maximal Betriebstemperatur	+150 °C
Serie	BC639
Verpackung	Masse
Marke	onsemi
Kontinuierlich Kollektorstrom	1 A
Gleichstrom Kollektor-/Basisgewinn (hFE Min.)	25
Höhe	5,33 mm
Länge	5,2 mm
Breite	4,19 mm
Fabrikpaket Menge	5000
Produkttyp	BJTs – Bipolartransistoren
Stückgewicht	0,007090 Unzen

Absolute Höchstbewertungen

Symbol	Parameter	Wert (BC639)	Einheiten
VCER	Sammler-Emitter Spannung (RBE=1 kΩ)	100	V
VCES	Sammler-Emitter Spannung	100	V
VCEO	Sammler-Emitter Spannung	80	V
VEBO	Emitter-Basis Spannung	5	V
IC	Kontinuierlich Kollektorstrom	1	A
ICP	Peak-Kollektor Strom (PW=5 ms, Duty=10 %)	1.5	A
IB	Basisstrom	100	mA
PC	Kollektorleistung Zerstreuung	1	W
TJ	Kreuzung Temperatur	150	°C
TSTG	Lagerung Temperatur	–65 bis +150	°C

BC639 Funktionen und Vorteile

Hauptmerkmale

-Hohe Kollektor-Emitter-Nennspannung von 80 V, geeignet für Mittelspannungsanwendungen.

-Unterstützt bis zu 1 A kontinuierlichen Kollektorstrom, ideal für Treiber- und Schaltstufen.

-TO-92-Gehäuse für kompakte Durchsteckmontage.

-Hohe Verstärkungsbandbreite (fT) bis zu 200 MHz für schnelle Schaltleistung.

-Niedrige Sättigungsspannung (~500 mV) verbessert die Effizienz in Schaltkreisen.

-Großer Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

-Erhältlich in verschiedenen Verstärkungsgruppenversionen (z. B. BC639-16).

Vorteile

-Zuverlässig für Audioverstärker, Relaistreiber und LED-/Motorsteuerung.

-Funktioniert gut bei der Signalverstärkung und der Umschaltung mittlerer Leistung.

-Kostengünstig und von mehreren Herstellern weit verbreitet.

-Geeigneter Ersatz für verschiedene Allzweck-NPN-Transistoren in Hochspannungsdesigns.

BC639 Arbeiten im Stromkreis

BC639 als LED-Treiber (Astabile Blinkschaltung)

In dieser Schaltung fungiert der BC639 als Haupt-LED-Treiber, der vom PNP-Transistor BC636 und den Timing-Komponenten um RV1, R1, R2, R3 und den Kondensator C1 gesteuert wird.Während der Kondensator geladen und entladen wird, schalten Q1 und Q2 abwechselnd, wodurch der BC639 die LED ein- und ausschaltet.Wenn Q2 (BC639) in den leitenden Zustand geschaltet wird, fließt Strom durch die LED und erzeugt einen Blinkeffekt.Der BC639 bietet genügend Strombelastbarkeit, um die weiße LED auch bei niedriger Versorgungsspannung sicher anzutreiben.

BC639 als verstärkter Ausgangsschalter (555-Timer-Anwendung)

Dabei fungiert der BC639 als Leistungsendverstärker für den 555-Timer.Da der Ausgangspin des 555 keinen hohen Strom für größere LEDs liefern kann, wird das Signal über den Widerstand R3 in den Sockel des BC639 eingespeist.Wenn der 555-Ausgang auf High geht, schaltet sich der BC639 ein und lässt Strom von der 12-V-Versorgung durch LED1 und R4 fließen.Dadurch kann die LED mit höherer Helligkeit betrieben werden und gleichzeitig wird der IC vor übermäßiger Belastung geschützt.

BC639 als pulsbetriebener LED-Booster (Pulsmodulationsschaltung)

Auch in dieser Schaltungsvariante dient der BC639 als stromtreibender Transistor für die weiße LED.Der PNP-Transistor BC636 und das Zeitnetzwerk erzeugen Impulse, die die Basis des BC639 speisen.Wenn der BC639 einen Impuls empfängt, schaltet er sich ein und liefert über den Widerstand R4 den erforderlichen Strom an die LED.Aufgrund seiner Strombelastbarkeit von 1 A und der niedrigen Sättigungsspannung gewährleistet der BC639 eine effiziente LED-Beleuchtung und stabiles Schalten innerhalb der Impulsschaltung.

Typische Kennlinien

Abbildung 1. Statische Charakteristik

Dieses Diagramm zeigt, wie der Kollektorstrom (IC) auf unterschiedliche Kollektor-Emitter-Spannungen (VCE) für verschiedene Basisströme (IB) reagiert.Jede Kurve stellt einen festen IB-Wert dar, und wenn VCE ansteigt, steigt IC schnell an und pendelt sich dann ein, was darauf hinweist, dass der Transistor in die Sättigung und dann in den aktiven Modus eintritt.Das Diagramm zeigt, dass ein höherer Basisstrom einen höheren Kollektorstrom erzeugt, was das stromverstärkende Verhalten des BC639 veranschaulicht.

Abbildung 2. DC-Stromverstärkung (hFE)

Diese Kurve zeigt die DC-Verstärkung (hFE) des BC639 bei Änderungen des Kollektorstroms.Die Verstärkung bleibt bei Strömen im niedrigen und mittleren Bereich relativ stabil, erreicht leichte Spitzen bei etwa mehreren zehn Milliampere und nimmt bei hohen Stromstärken allmählich ab.Dieses Verhalten weist darauf hin, dass der BC639 seine effizienteste Verstärkung in moderaten Strombereichen liefert, bevor es bei höheren Lasten zu einem Verstärkungsabfall kommt.

Abbildung 3. Basis-Emitter- und Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Dieses Diagramm zeigt, wie sich die Sättigungsspannungen VBE(sat) und VCE(sat) mit dem Kollektorstrom ändern.Mit steigendem IC steigen beide Spannungen allmählich an, wobei VCE(sat) bei höheren Strömen deutlicher zunimmt.Diese Kurven zeigen, wie stark die Spannung des Transistors abfällt, wenn er vollständig eingeschaltet ist, und helfen Designern dabei, die Effizienz und den Leistungsverlust in Schaltanwendungen abzuschätzen.

Abbildung 4. Basis-Emitter-Einschaltspannung (VBE)

Dieses Diagramm veranschaulicht die erforderliche Basis-Emitter-Spannung (VBE), um verschiedene Kollektorströme zu erreichen, wenn der Transistor in seinem aktiven Bereich arbeitet.Die Kurve zeigt, dass der Kollektorstrom schnell ansteigt, sobald VBE etwa 0,6–0,7 V erreicht.Dies bestätigt das typische Verhalten von Siliziumtransistoren und unterstreicht die Empfindlichkeit des BC639 gegenüber kleinen Basis-Emitter-Spannungsänderungen.

BC639-Anwendungen

-LED-Treiber und Anzeigeschaltungen mit hoher Helligkeit

-Kleine Motor- und Relaistreiberstufen

-Audioverstärkerstufen und Vortreiber

-Schaltkreise mittlerer Leistung bis 80 V

- Ausgangsstufen mit Pulsweitenmodulation (PWM).

-Signalverstärkung in der Hobby- und Allzweckelektronik

-Transistorbasierte Oszillatoren und Zeitschaltkreise

-Puffer- und Schnittstellenstufen für Mikrocontroller oder ICs

-Spannungsregelung und Referenztreiberschaltungen

-Anbindung und Schaltung von Hochspannungssensoren

BC639 Mechanische Abmessungen

BC639 Hersteller

Der BC639-Transistor wurde ursprünglich von Fairchild Semiconductor hergestellt, einem bekannten Hersteller von diskreten Halbleitern und analogen Komponenten.Nach der Übernahme von Fairchild wurde die Produktion unter onsemi weitergeführt, das nun als Haupthersteller für die BC639-Serie fungiert.onsemi behält die gleichen elektrischen Spezifikationen, Zuverlässigkeitsstandards und Gehäuseformate bei und gewährleistet so volle Kompatibilität mit älteren Fairchild-Versionen.Der BC639 ist auch heute noch weit verbreitet über das globale Vertriebsnetz von Onsemi erhältlich.

Datenblatt PDF

BC639 Datenblatt:

BC639.pdf

BC635, 637, 639.pdf

Details als PDF herunterladen

onsemi RoHS.pdf

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Kann der BC639 den MPSA06 oder BD139 in einer Schaltung ersetzen?

Ja, es ist in den meisten Fällen mit dem MPSA06 kompatibel, während der BD139 als leistungsstärkerer Ersatz fungiert.

2. Ist der BC639 für Hochfrequenzanwendungen geeignet?

Ja.Mit einer Verstärkungsbandbreite (fT) von 200 MHz funktioniert es zuverlässig in Mittelfrequenzschalt- und Kleinsignalschaltungen.

3. Welche Versorgungsspannung ist ideal für Schaltungen mit BC639?

Der Transistor unterstützt bis zu 80 V am Kollektor, die meisten praktischen Schaltungen arbeiten jedoch zwischen 3 V und 30 V.

4. Wie teste ich einen BC639-Transistor mit einem Multimeter?

Verwenden Sie den Diodenmodus, um die Basis-Emitter- und Basis-Kollektor-Verbindungen zu überprüfen.both should read ~0.6–0.7 V in forward bias.

5. Was ist der Unterschied zwischen BC639 und BC639-16?

BC639-16 ist eine Variante mit höherer Verstärkung, die im Vergleich zum Standard-BC639 eine verbesserte Verstärkung bietet.

6. Kann BC639 in Audioverstärkerschaltungen verwendet werden?

Absolut.Aufgrund seiner stabilen Verstärkung und schnellen Reaktion eignet er sich gut als Vortreiber oder kleiner Ausgangstransistor