Deutsch
| Artikelnummer: | IRF7342D2PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2753 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | FETKY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 3.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| IRF7342D2PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF7342D2PBF PDF - EN.pdf |




IRF7342D2PBF
Infineon Technologies ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, und Y-IC ist ein Qualitätshändler für Infineon-Produkte. Kunden können darauf vertrauen, dass Y-IC ihnen die besten Infineon-Produkte und -Services bietet.
Der IRF7342D2PBF ist ein P-Kanal-Leistung-MOSFET mit integriertem Schottky-Diode in einem 8-SOIC-Gehäuse. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Stromversorgung und Steuerung ausgelegt.
P-Kanal-MOSFET mit Schottky-Diode
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 55 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 3,4 A
Niediger On-Widerstand (Rds(on))
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Weites Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Effizientes Strommanagement und Steuerung
Zuverlässige und langlebige Leistung
Vielseitige Einsatzmöglichkeiten
Der IRF7342D2PBF ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) für Oberflächenmontage verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften, um die Leistungsfähigkeit des Bauteils zu unterstützen.
Das IRF7342D2PBF ist ein ausgestorbenes Produkt, jedoch sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, unsere Verkaufsabteilung über die Y-IC-Website zu kontaktieren, um weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
Netzteile
Motortreiber
Batteriemanagementsysteme
Industrieautomation und Steuerung
Das aktuellste und autoritativste Datenblatt für den IRF7342D2PBF ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, auf der Y-IC-Website Angebote für den IRF7342D2PBF anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, informieren Sie sich weiter oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die besten Infineon-Produkte und -Services zu erhalten.
IR SOP-8
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
IR SOP-8
IR SOP8
IR SOP-8
INFINEON 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
IRF7342 IR
IR SOP-8
IR SO8
IR SOP-8
IRF7342PBF-1 IR
IRF SOP-8
IR SOP
IR SOP8
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
IRF7342Q IOR
IR SOP-8
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/05/8
2024/04/10
2025/02/12
2025/01/9
IRF7342D2PBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|