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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelC2M0160120D
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Wolfspeed, Inc. C2M0160120D

Artikelnummer: C2M0160120D
Hersteller / Marke: Wolfspeed, Inc.
Teil der Beschreibung.: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Datenblätte:
1.C2M0160120D.pdf ···

Datenblätter

C2M0160120D.pdf

C2M0160120D Seite PDF

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RoHs Status: RoHS-konform
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  • Wolfspeed, Inc. C2M0160120D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. C2M0160120D .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
    Vgs (Max) +25V, -10V
    Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-247-3
    Serie Z-FET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 10A, 20V
    Verlustleistung (max) 125W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-247-3
    Paket Tube
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Through Hole
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 527 pF @ 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 20 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)
    Grundproduktnummer C2M0160120
    C2M0160120D Einzelheiten PDF [English] C2M0160120D PDF - EN.pdf
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    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

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C2M0160120D Produktdetails

Herstellerteilenummer

C2M0160120D

Hersteller

Cree Wolfspeed ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke. Y-IC bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1200V, 19A (Tc), 125W (Tc), Durchgangsloch TO-247-3

Schlüsselmerkmale

1200V Drain-Source-Spannung

19A Dauer-Drain-Strom bei 25°C

125W Leistungsabgabe bei Tc

N-Kanal-MOSFET

Durchgangslochgehäuse TO-247-3

Wichtigste Vorteile

Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit

Hervorragende Leistungsfähigkeit

Zuverlässige und langlebige Performance

Für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet

Verpackung

Rohrverpackung

Gehäusetyp: TO-247-3

Durchgangslochmontage

Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C

Maximale Gate-Source-Spannung: 20V

Geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität

Lebenszyklus

Dieses Produkt wird nicht aus dem Sortiment genommen.

Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen.

Schlüsselanwendungsbereiche

Leistungselektronik

Motorsteuerungen

Wechselrichter

Schaltnetzteile

Anwendungen mit hoher Spannung und hohem Strom

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für das Modell C2M0160120D ist auf unserer Webseite verfügbar. Es wird empfohlen, es herunterzuladen.

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Benutzerbewertung

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  • Oliv***arris

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    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

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    2026/03/23

  • Yuki***

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    2026/03/20

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    2026/02/28

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