Deutsch
| Artikelnummer: | W632GU6NB12I |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Winbond Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.4224 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
| Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Supplier Device-Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | 96-VFBGA |
| Paket | Tray |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 2Gbit |
| Speicherorganisation | 128M x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | DRAM |
| Uhrfrequenz | 800 MHz |
| Grundproduktnummer | W632GU6 |
| Zugriffszeit | 20 ns |




W632GU6NB12I
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Winbond Electronics Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der W632GU6NB12I ist ein 2-Gbit-SDRAM-DDR3L-Speicherchip, hergestellt von Winbond Electronics. Er verfügt über eine 128M x 16 Speicherorganisation und eine parallele Speicher-Schnittstelle.
2-Gbit-SDRAM-DDR3L-Speicher
128M x 16 Speicherorganisation
Parallele Speicherschnittstelle
Taktfrequenz von 800 MHz
Schreibzykluszeit von 15 ns (Wort, Seite)
Zugriffszeit von 20 ns
Versorgungsspannung zwischen 1,283 V und 1,45 V
Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 95 °C
96-VFBGA-Gehäuse
Hochleistungsfähiger SDRAM DDR3L-Speicher
Breiter Betriebstemperaturbereich, geeignet für vielfältige Anwendungen
Oberflächenmontage-Gehäuse für effizientes Leiterplatten-Design
Blisterverpackung
96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13 mm)
Oberflächenmontage
Das W632GU6NB12I ist ein aktives Produkt.
Entsprechende oder alternative Modelle können verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, die hochleistungsfähigen SDRAM DDR3L-Speicher erfordern, wie eingebettete Systeme, industrielle Geräte und Unterhaltungselektronik.
Das offiziellste Datenblatt für den W632GU6NB12I ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um mehr über dieses Produkt und unsere Sonderangebote zu erfahren.
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 667MHZ
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 800MHZ
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 933MHZ
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/28
2024/09/9
2024/04/26
2025/01/15
W632GU6NB12IWinbond Electronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|