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| Artikelnummer: | SIDR870ADP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.7217 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8DC |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2866 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 95A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SIDR870 |
| SIDR870ADP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIDR870ADP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |




SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay ist eine Qualitätsmarke, die von Y-IC stolz vertrieben wird. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der SIDR870ADP-T1-GE3 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus Vishays TrenchFET®-Serie. Er überzeugt durch niedrigen Röhrestand und hohe Strombelastbarkeit, was ihn ideal für verschiedenste Anwendungen im Energiemanagement macht.
N-Kanal-MOSFET
TrenchFET®-Technologie
Sehr niedriger Röhrestand (max. 6,6 mΩ bei 20 A, 10 V)
Hoher Dauer-Drain-Strom (95 A bei 25°C)
Breiter Spannungsbereich (±20 V)
Niedrige Gate-Ladung (max. 80 nC bei 10 V)
Oberflächenmontierte Gehäuseschaltung (PowerPAK® SO-8)
Herausragende Energieeffizienz durch geringen Röhrestand
Hohe Strombelastbarkeit
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse für platzsparende Designs
Vielseitig einsetzbar im Energiemanagement
Spule in Tape-and-Reel (TR) Verpackung
PowerPAK® SO-8 Oberflächenmontagegehäuse
Abmessungen: 5,0 mm x 6,0 mm x 1,2 mm
Das SIDR870ADP-T1-GE3 ist ein aktives Produkt.
Verfügbare Ersatzund Alternativmodelle:
- SIDR870ADP-T1-GE3
- SIDR870ADP-T1-GE3CT
- SIDR870ADP-T1-GE3LT
Falls Sie weitere Unterstützung benötigen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
Energiemanagement
Motorkontrolle
Telekommunikation und industrielle Stromversorgung
Wechselrichter und Konverter
Das aktuelle Datenblatt für den SIDR870ADP-T1-GE3 ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen einzusehen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserer zeitlich begrenzten Aktion zu profitieren.
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
FIXED IND 100UH SMD 2.4A 164MOHM
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
DISPLAY PROGRAMMABLE
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
FIXED IND 47UH SMD 3.3A 85.8MOHM
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
VIRTU SENSOR ANALOG VOLTAGE,CONF
FIXED IND 33UH SMD 3.7A 67.5MOHM
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
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2025/07/16
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Zielpreis (USD)
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