Deutsch
| Artikelnummer: | SI7447ADP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 24A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4650 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SI7447 |
| SI7447ADP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7447ADP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |




SI7447ADP-T1-GE3
Y-IC ist ein Qualitäts-Distributor von Vishay-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SI7447ADP-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET aus Vishays TrenchFET®-Serie. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 30V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 35A bei 25°C.
P-Kanal-MOSFET \n- 30V Drain-Source-Spannung \n- 35A Dauer-Drain-Strom bei 25°C \n- TrenchFET®-Technologie \n- Oberflächenmontagegehäuse
Niediger On-Widerstand für effizienten Energietransfer \n- Schnelles Schalten für Hochfrequenzanwendungen \n- Robuste Oxid- und Avalanchefähigkeit
Gehäusetyp: PowerPAK® 1212-8 \n- Oberflächenmontage \n- Elektrische Eigenschaften: 10V Ansteuerspannung, 6,5 mΩ On-Widerstand, 150 nC Gate-Ladung
Der SI7447ADP-T1-GE3 ist ein veraltetes Produkt. \nKunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über die Website zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile \n- Motorsteuerungen \n- Schaltregler \n- Batteriesysteme
Das autoritative Datenblatt zum SI7447ADP-T1-GE3 ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, ein Angebot auf unserer Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von diesem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
SI7448DP-T1 VISHAY
SI7447ADP SI
SI7446DP-T1-GE3 VB
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
VBSEMI QFN8
SI7450 VISHAY
SI7446DP VISHAY
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI7446DP-T1. VISHAY
SI7447DP-T1-GE3 VB
SI7446DP-T1-E3 VISHAY
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI7446BDP-T1-T3 VISHAY
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
SI7446DP-T1 VISHAY
SI7448DP SI
VBSEMI QFN8
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
2026/06/15
2026/06/11
2026/06/5
2026/05/28
2026/05/22
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2026/06/17
2026/06/17
2026/06/17
2026/06/16
SI7447ADP-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|