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| Artikelnummer: | SUD35N10-26P-E3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 35A TO252 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.0629 |
| 10+ | $1.8566 |
| 100+ | $1.4925 |
| 500+ | $1.2263 |
| 1000+ | $1.0161 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SUD35 |
| SUD35N10-26P-E3 Einzelheiten PDF [English] | SUD35N10-26P-E3 PDF - EN.pdf |




SUD35N10-26P-E3
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor für Produkte der Marke Electro-Films (EFI) / Vishay. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
N-Kanal 100V, 35A (Tc), 8,3W (Ta), 83W (Tc) Oberflächenmontage MOSFET im TO-252-Gehäuse mit SMT-Technologie
- N-Kanal MOSFET
- Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
- Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 35 A
- Leistungsaufnahme (P): 8,3 W (Ta), 83 W (Tc)
- Oberflächenmontage im TO-252-Gehäuse
- Hohe Leistungsfähigkeit
- Effiziente Wärmeableitung
- Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
- Verpackungsart: Digi-Reel
- Gehäuse / Case: TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63
- Gerätegehäuse des Lieferanten: TO-252
- Maximale Leistungsaufnahme: 8,3 W (Ta), 83 W (Tc)
- Thermische Eigenschaften: Betriebstemperatur von -55°C bis +175°C (TJ)
- Elektrische Eigenschaften: MOSFET (Metalloxid-Halbleiter), N-Kanal, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V, Strom (Id) bei 25°C: 35 A (Tc), Rds On (Max): 26 mΩ bei 12 A, 10 V, Vgs(th) (Max): 4,4 V bei 250 A, Gate-Ladung (Qg) (Max): 47 nC bei 10 V, Eingangskapazität (Ciss) (Max): 2000 pF bei 12 V, Schaltspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7 V, 10 V, Vgs (Max): ±20 V
- Das Produkt steht nicht vor der Einstellung.
- Verfügbare gleichwertige oder alternative Modelle:
- SUD40N10-30L-E3
- SUD40N10-35L-E3
- SUD50N10-40L-E3
Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
- Netzteile
- Motorantriebe
- Wechselrichter
- Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das maßgebliche Datenblatt für den SUD35N10-26P-E3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen unseren Kunden, es herunterzuladen.
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SUD35N10-26P-E3Vishay Siliconix |
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