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| Artikelnummer: | SIA431DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.8637 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 8V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
| SIA431DJ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIA431DJ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |




SIA431DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix. Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke Vishay Siliconix und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SIA431DJ-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET im PowerPAK® SC-70-6 Gehäuse von Vishay Siliconix. Er verfügt über eine maximale Drain-Source-Spannung von 20 V und einen konstanten Drain-Strom von 12 A bei 25 °C.
P-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 20 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 12 A bei 25 °C
PowerPAK® SC-70-6 Gehäuse
Effiziente Energieumwandlung und Steuerung
Kompaktes und platzsparendes Design
Zuverlässige Leistung
Tape & Reel (TR) Verpackung
PowerPAK® SC-70-6 Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Der SIA431DJ-T1-GE3 ist ein aktives Produkt. Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an das Vertriebsteam von Y-IC.
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Das offizielle Datenblatt für den SIA431DJ-T1-GE3 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den SIA431DJ-T1-GE3 auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um den besten Preis und Service zu erhalten.
SIA431DJ-T1 VISHAY
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
VISHAY SMD
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
VISHAY QFN
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
SIA431DJ VISHAY
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VISHAY QFN
SIA433EDJ VISHAY
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
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MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
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