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| Artikelnummer: | SI8401DB-T1-E1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.0847 |
| 200+ | $0.4336 |
| 500+ | $0.4195 |
| 1000+ | $0.4124 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 4-Microfoot |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.47W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Grundproduktnummer | SI8401 |
| SI8401DB-T1-E1 Einzelheiten PDF [English] | SI8401DB-T1-E1 PDF - EN.pdf |




SI8401DB-T1-E1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Vishay-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SI8401DB-T1-E1 ist ein P-Kanal-MOSFET aus Vishays TrenchFET®-Serie. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 20 V und einen Dauer-Drain-Strom von 3,6 A bei 25°C.
P-Kanal-MOSFET\nTrenchFET®-Technologie\n20 V Drain-Source-Spannung\n3,6 A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Geringer On-Widerstand für effizientes Schalten\nKompakte 4-XFBGA-Gehäuse\nBreiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Spule und Rolle (Tape and Reel, TR)\n4-XFBGA, CSPBGA-Gehäuse\nOberflächenmontage (SMD)
Der SI8401DB-T1-E1 ist ein aktives Produkt\nEs sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich; bitte wenden Sie sich an unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Energieverwaltung\nSchaltanwendungen\nAllzweck-Leistungsverteilung
Das neueste Datenblatt für den SI8401DB-T1-E1 ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für die neuesten technischen Details herunterzuladen.
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MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
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SI8401DB-T1 SILICON
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
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DGTL ISOL 2500VRMS 2CH I2C 8SOIC
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MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
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SI8401DB-T1-E1Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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