Deutsch
| Artikelnummer: | SI5403DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $30.9009 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1340 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SI5403 |
| SI5403DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI5403DC-T1-GE3 PDF - EN.pdf |




SI5403DC-T1-GE3
Vishay Siliconix. Y-IC ist ein renommierter Händler für Produkte von Vishay Siliconix und bietet seinen Kunden hochwertige Produkte sowie exzellenten Service.
Der SI5403DC-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit Trench-MOSFET-Technologie von Vishay Siliconix. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen ausgelegt, darunter Energiemanagement, Motorsteuerung und Allzweck-Schaltungen.
P-Kanal-MOSFET
Trench-MOSFET-Technologie
Spannungsfestigkeit von 30 V zwischen Drain und Source
Kontinuierlicher Drain-Strom von 6 A
Geringer Durchlasswiderstand (typisch 30 mΩ)
Schnelle Schaltzeiten
Großer Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
Effizientes Strommanagement
Zuverlässige und langlebige Leistung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Einfache Integration in Schaltungen
Tape-and-Reel-Verpackung
8-SMD-Flachlead-Gehäuse
Oberflächenmontage-Design
Der SI5403DC-T1-GE3 ist ein aktives Bauteil. Es sind entsprechende und alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte direkt an unser Verkaufsteam auf unserer Webseite.
Energiemanagement
Motorsteuerung
Allzweck-Schaltungen
Das offizielle Datenblatt für den SI5403DC-T1-GE3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Fordern Sie jetzt ein Angebot auf unserer Webseite an. Nutzen Sie unsere zeitlich begrenzten Angebote und sichern Sie sich Ihren Vorteil.
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SI5404DC-T1-E3 1206-8
SI5404DC VISHAY
SI5402DC VISHAY
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
SI5404 VISHAY
VISHAY 2020+RoHS
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
VISHAY 1206A-8
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
SI5404DC-T1 VISHAY
SI5402DC-T1 SILICON
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/05/8
2024/04/10
2025/02/12
2025/01/9
SI5403DC-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|