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| Artikelnummer: | 10ETS08S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $11.9119 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB (D²PAK) |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50 µA @ 800 V |
| Strom - Richt (Io) | 10A |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Grundproduktnummer | 10ETS08 |
| 10ETS08S Einzelheiten PDF [English] | 10ETS08S PDF - EN.pdf |




10ETS08S
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Der 10ETS08S ist eine einzelne Gleichrichterdiode in einem Oberflächenmontagegehäuse vom Typ D2PAK.
Spannung Gleichstrom-Rückwärtsspannung (Vr) (Max): 800 V
Mittlere Gleichstrom-Gleichrichtung (Io): 10 A
Spannungsabfall Vorwärts (Vf) (Max) bei If: 1,1 V bei 10 A
Schnelle Erholung: Standard Recovery >500 ns, >200 mA (Io)
Rückwärtiger Leckstrom bei Vr: 50 µA bei 800 V
Montagetype: Oberflächenmontage
Gehäuse / Verpackung: TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB
Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieumwandlung
Gehäuse: TO-263AB (D2PAK)
2 Anschlüsse + Kühlfahne
Oberflächenmontage
Dieses Produkt ist veraltet.
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Industrielle Anlagen
Automobiltechnik
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10ETS08SVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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