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| Artikelnummer: | IPB80N06S2L-H5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB80N |
| IPB80N06S2L-H5 Einzelheiten PDF [English] | IPB80N06S2L-H5 PDF - EN.pdf |




IPB80N06S2L-H5
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke International Rectifier (Infineon Technologies) und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der IPB80N06S2L-H5 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS-Serie, entwickelt für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Energieverwaltung und Steuerung.
N-Kanal-MOSFET
55V Drain-Source-Spannung
80A kontinuierlicher Drain-Strom
Maximale On-Widerstand von 4,7 mΩ
Maximale Gate-Ladung von 190 nC
Maximale Eingangskapazitanz von 5000 pF
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragendes Leistungsvermögen und Effizienz
Geringer On-Widerstand für reduzierte Energieverluste
Schnelle Schaltzeiten und Hochfrequenzbetrieb
Breiter Betriebstemperaturbereich
Gehäuse: TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB
Gerätegehäuse: PG-TO263-3-2
Verpackung: Streifen & Reel (TR)
Der IPB80N06S2L-H5 ist ein aktives Produkt mit derzeit keinen bekannten gleichwertigen oder alternativen Modellen. Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website.
Netzteile
Motorantriebe
Automobiltechnik
Industrial Automation
Telekommunikationsausrüstung
Das autoritativste Datenblatt für den IPB80N06S2L-H5 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und technische Informationen zu erhalten.
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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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INF SOT263
IPB80N06S2L-07(2N06L07) INFINEO
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IC MOSFET N-CH TO263-3
IPB80N06S2L-07 I
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
INFINEON SOT263
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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INFINEON TO-263
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