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| Artikelnummer: | TPH3208LD |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Transphorm |
| Teil der Beschreibung.: | GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | 4-PQFN (8x8) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Verlustleistung (max) | 96W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 4-PowerDFN |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
| TPH3208LD Einzelheiten PDF [English] | TPH3208LD PDF - EN.pdf |




GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
TPH3R003PL QQ2850920316
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