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| Artikelnummer: | LL4006G L0 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 1A MELF |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | MELF |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | DO-213AB, MELF |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | LL4006 |
| LL4006G L0 Einzelheiten PDF [English] | LL4006G L0 PDF - EN.pdf |




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LL4006G L0Taiwan Semiconductor Corporation |
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