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| Artikelnummer: | ES1J M2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 15000+ | $0.0702 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
| Standardpaket | 7,500 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35ns |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
| Andere Namen | ES1J M2G-ND ES1JM2G |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 17 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 18pF @ 1V, 1MHz |
| ES1J M2G Einzelheiten PDF [English] | ES1J M2G PDF - EN.pdf |




DO214AC(SMA)
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
TSC SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
PANJIT DO-214AC
ES1J-E3/61T VISHAY
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
RECTIFIER DO-214AC 600V 1.7V
ES1J-E3 VISHAY
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
ES1J T/R PANJIT
DIODE GP 600V 1A DO214AC SMA
RECTIFIER, SUPER FAST, 1A, 600V,
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
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ES1J M2GTSC (Taiwan Semiconductor) |
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