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| Artikelnummer: | LM5109BSD |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6582 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 8V ~ 14V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-WSON (4x4) |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 15ns, 15ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 108 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 1A, 1A |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | LM5109 |
| LM5109BSD Einzelheiten PDF [English] | LM5109BSD PDF - EN.pdf |




LM5109BSD
Texas Instruments (Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von Texas Instruments und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen)
Der LM5109BSD ist ein Hoch- und Niederspannungs-Gate-Treiber, der für die Ansteuerung von N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in Halbwellen-Brückenschaltungen bei der Energiewandlung entwickelt wurde. Er verfügt über unabhängige Hoch- und Niederspannungsgate-Ausgänge, programmierbare Totzeiten und eine Bootstrap-Spannungsversorgung für die Hochseitensteuerung.
Unabhängige Hochund Niederspannungsgate-Ausgänge
Programmierbare Totzeiten
Bootstrap-Spannungsversorgung für Hochseitensteuerung
Breiter Versorgungsspannungsbereich (8V bis 14V)
Logik-Eingangsspannungen für niedrige Eingänge (0,8V, 2,2V)
Hochseitenspannung bis zu 108V
Spitzen-Ausgangsstrom von 1A (Quelle und Senke)
Schnelle Anstiegsund Abfallzeiten (typisch 15ns)
Großer Temperaturbereich (-40°C bis 125°C)
Geeignet für eine Vielzahl von Energiewandlungsanwendungen in Halbwellen-Brücken
Programmierbare Totzeiten sorgen für eine korrekte Schaltfunktion der MOSFETs/IGBTs
Bootstrap-Spannungsversorgung vereinfacht die Umsetzung des Hochseiten-Treibers
Robustes Design mit breiten Spannungsund Temperaturbereichen
Oberflächenmontierte Gehäuse in 8-WDFN mit sichtbarer Pad-Anordnung
Der LM5109BSD ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, über unsere Website Kontakt mit unserem Vertrieb aufzunehmen, um Informationen zu ähnlichen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Schaltnetzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
Class-D-Audioverstärker
Das am zuverlässigsten datasheet für den LM5109BSD ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON
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HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
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Zielpreis (USD)
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