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| Artikelnummer: | CSD18512Q5B |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.0832 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 139W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7120 pF @ 20 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 211A (Tc) |
| Grundproduktnummer | CSD18512 |
| CSD18512Q5B Einzelheiten PDF [English] | CSD18512Q5B PDF - EN.pdf |




CSD18512Q5B
Texas Instruments ist ein renommierter Hersteller hochwertiger Halbleiterbauelemente, einschließlich des CSD18512Q5B FET. Y-IC ist ein autorisierter Distributor von Produkten von Texas Instruments und stellt sicher, dass Kunden Originalprodukte, zuverlässige Komponenten und den besten Service erhalten.
Der CSD18512Q5B ist ein einzelner N-Kanal-MOSFET aus der NexFET™-Serie von Texas Instruments. Er ist konzipiert für den Einsatz in Hochleistungs- und Hochwirkungsgrad-Stromwandlungsanwendungen.
40 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
211 A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C
Maximale Einschaltwiderstand (Rds(on)) von 1,6 mΩ bei 30A, 10V
Maximale Eingangskapazität (Ciss) von 7120 pF bei 20V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Herausragende Effizienz dank niedrigen Einschaltwiderständen
Hohe Strombelastbarkeit
Kompaktes SMD-Gehäuse
Robuste thermische und elektrische Performance
Verpackung in Stripe-and-Reel (TR)
8-PowerTDFN-Gehäuse mit den Maßen 5x6 mm
Oberflächenmontage (SMD)
Das Modell CSD18512Q5B ist ein aktiv produziertes Produkt von Texas Instruments.
Es gibt gleichwertige und alternative Modelle, z. B. CSD18543Q5B und CSD18531Q5B. Kunden können sich bei unserem Vertriebsteam über weitere Optionen informieren.
Hochleistungsund Hochwirkungsgrad-Stromversorgungssysteme
Wechselrichter, Motorenansteuerungen und andere Industrieanwendungen
Automotive-Elektronik und Energiemanagement
Das neueste Datenblatt für den CSD18512Q5B ist auf der Website von Y-IC verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Designhinweise zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den CSD18512Q5B auf der Website von Y-IC anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und die NexFET™-Technologie von Texas Instruments.
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