Texas Instruments CSD17575Q3T

Herstellerteilenummer

CSD17575Q3T

Hersteller

Luminary Micro / Texas Instruments

Detaillierte Beschreibung

Der CSD17575Q3T ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem PowerTDFN-Gehäuse. Er eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich DC/DC-Wandler, Motorantriebe und Leistungsverstärker.

Schlüsselmerkmale

N-Kanal-MOSFET\nDrain-Source-Spannung (Vdss): 30V\nKontinuierlicher Drain-Strom (Id): 60A\nOn-Widerstand (Rds On): 2,3 mΩ\nGate-Ladung (Qg): 30 nC\nBetriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C

Wichtigste Vorteile

Geringer On-Widerstand für hohe Effizienz\nHohe Strombelastbarkeit\nKompaktes PowerTDFN-Gehäuse\nBreiter Betriebstemperaturbereich

Verpackung

Gehäuse: 8-PowerTDFN\nVerpackung: Tape & Reel (TR)\nThermische Eigenschaften: Leistungsaufnahme (Max): 2,8 W (Ta), 108 W (Tc)\nElektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V\n Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) @ 25°C: 60A\n Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2,3 mΩ @ 25A, 10V\n Schwellen-Spannung (Vgs(th)): Max. 1,8V @ 250A\n Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4,5V\n Eingangs-Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15V\n Ansteuerungsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4,5V, 10V\n Vgs (Max): ±20V

Lebenszyklus

Der CSD17575Q3T ist ein aktives Produkt, für das es gleichwertige oder alternative Modelle gibt. Kunden wird empfohlen, unseren Vertrieb über die Website zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

DC/DC-Wandler\nMotorantriebe\nLeistungsverstärker

Datenblatt

Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den CSD17575Q3T steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.

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