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| Artikelnummer: | CSD16570Q5BT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $66.4588 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSONP (5x6) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14000 pF @ 12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Ta) |
| Grundproduktnummer | CSD16570 |
| CSD16570Q5BT Einzelheiten PDF [English] | CSD16570Q5BT PDF - EN.pdf |




CSD16570Q5BT
Texas Instruments (Y-IC ist ein Qualitätsverteiler der Marke Texas Instruments und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen)
Der CSD16570Q5BT ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der NexFET™-Serie von Texas Instruments. Er verfügt über einen niedrigen on-Widerstand und hohe Strombelastbarkeit, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Energieverwaltung und Motorsteuerung geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
Geringer On-Widerstand (0,59 mΩ bei 50A, 10V)
Hohe Dauer-Drain-Strombelastung (100A bei 25°C)
Breiter Betriebsspannungsbereich (bis 25V)
Schnelle Schaltfähigkeit
AEC-Q101 qualifiziert
Hervorragende Energieeffizienz dank niedrigem On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Eignet sich für verschiedenste Energieverwaltungsund Motorsteuerungsaufgaben
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-PowerTDFN-Gehäuse mit kleinem Footprint (5x6 mm)
Oberflächenmontage
Der CSD16570Q5BT ist ein aktiv produziertes Bauteil
Es gibt gleichwertige und alternative Modelle, wie den CSD16570Q5B und CSD16570Q5C
Für weitere Informationen zu Alternativmodellen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite
Netzteile
Motorantriebe
Elektrofahrzeuge
Industrielle Automation
Telekommunikationsgeräte
Das zuverlässigste Datenblatt für den CSD16570Q5BT ist auf unserer Webseite verfügbar. Es wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebot für den CSD16570Q5BT auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren und die besten Preise für diesen Hochleistungs-MOSFET zu sichern.
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