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| Artikelnummer: | GP1M018A020PG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | SemiQ |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 18A IPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.4337 |
| 10+ | $1.2697 |
| 100+ | $1.0033 |
| 500+ | $0.778 |
| 1000+ | $0.6142 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
| Standardpaket | 1 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 94W (Tc) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen | 1560-1190-1 1560-1190-1-ND 1560-1190-5 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
| GP1M018A020PG Einzelheiten PDF [English] | GP1M018A020PG PDF - EN.pdf |




GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group, ein Qualitätshersteller für diskrete Halbleiterprodukte. Y-IC ist ein autorisierter Distributor der Global Power Technologies Group und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der GP1M018A020PG ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einem TO-251-3 Short Leads, I-Pak, TO-251AA Gehäuse. Er ist für eine Vielzahl von Schalt- und Steuerungsanwendungen im Leistungsbereich ausgelegt.
N-Kanal-MOSFET
Sperrspannung (Vdss) 200 V
Dauererderstrom (Id) 18 A bei 25°C
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) 170 mOhm
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Hervorragende Leistung und Effizienz
Hohe Strombelastbarkeit
Zuverlässiges und langlebiges Design
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Der GP1M018A020PG ist in einer Tube verpackt. Die Verpackung schützt das Bauteil und erleichtert die Handhabung.
Das Produkt GP1M018A020PG ist aktiv und es sind keine Pläne zur Stilllegung bekannt. Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein, daher wird Kunden empfohlen, unser Verkaufsteam über die Webseite zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten.
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Wechselrichter
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Industrieund Unterhaltungselektronik
Das aktuellste und autorisierte Datenblatt für den GP1M018A020PG ist auf der Y-IC Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und technische Daten zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den GP1M018A020PG auf der Y-IC Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt, indem Sie unsere Webseite besuchen.
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