Deutsch
| Artikelnummer: | STB860 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) |
| Teil der Beschreibung.: | 60V SCHOTTKY DIODE D2PAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 700 mV @ 8 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 60 V |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Diodentyp | Schottky |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1.12 mA @ 60 V |
| Strom - Richt (Io) | 8A |
| Kapazität @ Vr, F | - |




STB8NC50T4 ST
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STB8NC50 ST
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
STB8NC50-1 ST
MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STB85NF3LL ST
ST TO-263
NFET D2PAK SPCL 500V TR
ST TO-263
MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
STB8NA50T4 ST/
STB8NC70Z ST
STB8NA50 ST
ST TO-263
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STB860SMC Diode Solutions |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|