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| Artikelnummer: | K4B2G0846D-HCK0 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Samsung Electro-Mechanics |
| Teil der Beschreibung.: | K4B2G0846D-HCK0 SAMSUNG |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.1042 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| K4B2G0846D-HCK0 Einzelheiten PDF [English] | K4B2G0846D-HCK0 PDF - EN.pdf |




K4B2G0846D-HCK0
SAMSUNG
Der K4B2G0846D-HCK0 ist ein Hochleistungs-DRAM (Dynamic Random-Access Memory) mit geringem Stromverbrauch, das für den Einsatz in einer Vielzahl elektronischer Geräte konzipiert ist.
Hochdichte 4Gb DDR3 SDRAM
Geringer Energieverbrauch
Schnelle Betriebsfähigkeit
Fortschrittliche Energiesparmodi
Zuverlässiges und langlebiges Design
Verbesserte Systemleistung
Reduzierter Energieverbrauch
Effizientes Speichermanagement
Erhöhte Zuverlässigkeit der Geräte
FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) Gehäuse
Kompaktes und platzsparendes Design
Optimierte thermische und elektrische Eigenschaften
Das Produkt K4B2G0846D-HCK0 wird aktiv unterstützt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, darunter K4B2G0846D-HCK0 sowie weitere Varianten. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
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Das offizielle Datenblatt für den K4B2G0846D-HCK0 finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um die aktuellsten und detailliertesten Produktinformationen zu erhalten.
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