Deutsch
| Artikelnummer: | STV160NF02LAT4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 10-PowerSO |
| Serie | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 210W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STV160 |
| STV160NF02LAT4 Einzelheiten PDF [English] | STV160NF02LAT4 PDF - EN.pdf |




STV160NF02LAT4
stmicroelectronics (Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke stmicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services)
Der STV160NF02LAT4 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von stmicroelectronics. Er gehört zur STripFET™-Serie und eignet sich für vielfältige Anwendungen in der Leistungselektronik und der Motorsteuerung.
– N-Kanal-MOSFET
– MOSFET-Technologie (Metalloxid)
– Drain-Source-Spannung (Vdss) von 20V
– Dauerhafter Drain-Strom (Id) von 160A bei 25°C
– Geringer Rds(on) von 2,7 mOhm bei 80A, 10V
– Hohe Leistungsaufnahme von 210W bei Tc
– Hervorragende Leistung bei Hochleistungsanwendungen
– Effiziente Stromumwandlung und geringer Leistungsverlust
– Zuverlässiges und robustes Design
– Tape and Reel (TR) Verpackung
– PowerSO-10 Gehäuse mit offenem Bodenpad
– Oberflächenmontage (SMD)
– Dieses Produkt ist außer Betrieb
– Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar, bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
– Leistungselektronik
– Motorsteuerung
– Industrielle Automatisierung
– Automobilanwendungen
Das ausführlichste Datenblatt zum STV160NF02LAT4 finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STV160NF02LAT4 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um unser zeitlich begrenztes Angebot zu nutzen.
SMARTAS QFP160
SMARTAS QFP128
MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
IGBT Modules
STV160NF03L ST
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
SMARTASIC TQFP160
SMARTASIC QFP128
STV2050ACMP ST
MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
STV160NF02LA ST
SMARTSI QFP
ST SOP10
SMARTASIC QFP
IC VIDEO DGTL CONVERGENCE 80QFP
MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/02/16
2024/05/16
2024/12/4
2025/01/26
STV160NF02LAT4STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|