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| Artikelnummer: | STGP12NB60HD |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 30A 125W TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 12A |
| Testbedingung | 480V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 5ns/91ns |
| Schaltenergie | 210µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | PowerMESH™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 80 ns |
| Leistung - max | 125 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 68 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 30 A |
| Grundproduktnummer | STGP12 |
| STGP12NB60HD Einzelheiten PDF [English] | STGP12NB60HD PDF - EN.pdf |




STGP12NB60HD
STMicroelectronics
Der STGP12NB60HD ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von STMicroelectronics. Das Bauteil ist für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt, bietet hohe Schaltgeschwindigkeiten, geringe Verluste beim Leitungsbetrieb und hohe Zuverlässigkeit.
Collector-Emitter-Spannung (V(CEO)max): 600 V
Collector-Strom (IC(max)): 30 A
Kollektor Pulsstrom (ICM): 60 A
Niedrige Sättigungsspannung (VCE(on)): 2,8 V bei 15 V, 12 A
Hohe Schaltgeschwindigkeit
Geringe Schaltverluste
PowerMESH™ Technologie
Effiziente Stromumwandlung
Zuverlässige und robuste Leistung
Für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet
Gehäuse: TO-220-3
Durchsteckmontage
Thermische und elektrische Eigenschaften geeignet für den vorgesehenen Einsatz
Das Produkt STGP12NB60HD ist veraltet.
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Zielpreis (USD)
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