STMicroelectronics STGB4M65DF2

Herstellerteilenummer

STGB4M65DF2

Hersteller

Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der STGB4M65DF2 ist ein Single IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit Trench-Feldstopp-Design, geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik.

Schlüsselmerkmale

- Spannungsfestigkeit – Collector-Emitter Durchbruchspannung (Max): 650 V

- Strom – Collector (Ic) (Max): 8 A

- Puls-Strom – Collector (Icm): 16 A

- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2,1 V @ 15 V, 4 A

- Maximalleistung: 68 W

- Schaltenergie: 40 µJ (ein), 136 µJ (aus)

- Gate-Ladung: 15,2 nC

- On/Off-Taktzeit (Td) @ 25 °C: 12 ns / 86 ns

- Reverse Recovery Time (trr): 133 ns

- Betriebstemperatur: -55 °C bis 175 °C (TJ)

Wichtigste Vorteile

- Trench-Feldstopp-IGBT-Technologie für verbesserte Leistung

- Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungselektrikanwendungen

- Zuverlässiger und langlebiger Betrieb über einen weiten Temperaturbereich

Verpackung

- Spule & Rolle (Tape & Reel, TR)

- Top-3-Design, D2PAK (2-Leiter + Anschlussstab), TO-263AB Gehäuse

- Oberflächenmontage (SMD)

Lebenszyklus

Das Modell STGB4M65DF2 ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.

Schlüsselanwendungsbereiche

- Netzteile

- Motorantrieb

- Wechselrichter

- Anwendungen in der Leistungselektronik

Datenblatt

Das aktuell gültige Datenblatt für den STGB4M65DF2 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.

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