STMicroelectronics STGB30H65FB

Herstellerteilenummer

STGB30H65FB

Hersteller

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Detaillierte Beschreibung

Der STGB30H65FB ist ein Leistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von STMicroelectronics. Er ist ein einzelnes IGBT-Element, das für Schaltanwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickelt wurde.

Schlüsselmerkmale

– Trench Field Stop IGBT-Technologie\n– Spannungsbewertung von 650V\n– Strombelastbarkeit von 60A Dauerlast, 120A Puls\n– Geringer Einschalt- und Ausschaltwiderstand mit 2V bei 15V, 30A\n– Leistungsfähigkeit von 260W\n– Schnelle Schaltzeiten mit An- und Ausschaltzeiten von 37ns bzw. 146ns

Wichtigste Vorteile

– Effiziente Stromumwandlung und Steuerung\n– Geringere Energieverluste\n– Kompaktes und platzsparendes Design\n– Zuverlässige und langlebige Leistung

Verpackung

– TO-263-3, D2PAK (2 Pole + Anschlussklappe), TO-263AB Oberflächenmontagegehäuse\n– Geeignet für Hochstrom- und Hochspannung-Anwendungen\n– Gute thermische und elektrische Eigenschaften

Lebenszyklus

– Das STGB30H65FB ist ein aktives Produkt\n– Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Stromversorgungen\n– Motorantriebe\n– Wechselrichter\n– Schweißgeräte\n– Industrielle Automatisierung

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den STGB30H65FB ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden empfehlen wir, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.

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