Deutsch
| Artikelnummer: | STB9NK60ZT4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.5441 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB9 |
| STB9NK60ZT4 Einzelheiten PDF [English] | STB9NK60ZT4 PDF - EN.pdf |




STB9NK60ZT4
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB9NK60ZT4 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der SuperMESH™-Reihe von STMicroelectronics. Er überzeugt durch hervorragende Performance-Eigenschaften und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25°C: 7A
On-Widerstand (Rds(on)): 950mΩ bei 3,5A, 10V
Gate-Ladung (Qg): 53nC bei 10V
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Robuste und zuverlässige Leistung
Hohe Durchbruchsspannung für erhöhte Gestaltungsspielräume
Geringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Schnelle Schaltzeiten für Hochfrequenzanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontage
Das STB9NK60ZT4 ist ein aktives Produkt.
Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam über unsere Website.
Schaltregler
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrieelektronik
Telekommunikationsausrüstung
Das ausführlichste Datenblatt für den STB9NK60ZT4 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie noch heute ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
BRACKET: RUN BAR WALL MOUNTING B
ST TO-263
STB9NK60ZFP ST
STB9NK50Z ST
STB9NK60ZD ST
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
ST TO-263
STB9NK50Z-1 ST
MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
STB9NK70Z ST
STB9NK60Z ST
ST TO-263
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
NO BUTTONS IP20 RUN BAR ONLY
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
STB9NK60Z-1 ST
STB9NC60-1 ST
MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STB9NK60ZT4STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|