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| Artikelnummer: | STB35NF10T4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.3701 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | STripFET™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 115W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB35N |
| STB35NF10T4 Einzelheiten PDF [English] | STB35NF10T4 PDF - EN.pdf |




STB35NF10T4
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Der STB35NF10T4 ist ein N-Kanal-MOSFET aus der STripFET™ II Reihe von STMicroelectronics. Es handelt sich um ein veraltetes Produkt.
N-Kanal-MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
40A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 35 mΩ
Gate-Source-Spannungsbereich von ±20 V
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Oberflächenmontage D2PAK (TO-263-3)
2 Anschlüsse plus eine Kontaktlasche
Dieses Produkt ist veraltet.
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Energieverwaltung
Motorsteuerung
Schaltanwendungen
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