Deutsch
| Artikelnummer: | STB120NF10T4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.2513 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | STripFET™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 60A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 312W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 233 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB120 |
| STB120NF10T4 Einzelheiten PDF [English] | STB120NF10T4 PDF - EN.pdf |




STB120NF10T4
Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor von STMicroelectronics, einem renommierten Hersteller hochwertiger Halbleiterprodukte. Wir setzen uns dafür ein, unseren Kunden die besten Produkte und Services anzubieten.
Der STB120NF10T4 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der STripFET™ II Serie von STMicroelectronics. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungsumwandlung und Steuerung konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Containierter Drain-Strom (Id) bei 25°C 110A
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) 10,5 mΩ bei 60A, 10V
Maximaler Gate-Source-Schwellenwert (Vgs(th)) 4V bei 250A
Maximale Gate-Ladung (Qg) 233nC bei 10V
Maximale Eingangs-Kapazitanz (Ciss) 5200pF bei 25V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Energieeffizienz durch niedrigen On-Widerstand
Hohe Leistungsfähigkeit
Geeignet für ein breites Spektrum an Energiemanagementanwendungen
Zuverlässige und langlebige Leistung
Gehäuse: D2PAK (TO-263-3, DPak)
Verpackung: Band & Reel (TR)
Thermische und elektrische Eigenschaften sind für Oberflächenmontage optimiert
Das Produkt STB120NF10T4 ist aktiv, und STMicroelectronics hat keine Pläne zur Einstellung angekündigt. Momentan sind keine direkten Ersatzmodelle oder Alternativen verfügbar. Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Schaltnetzteile
Motorsteuerungen
Industrielle und Unterhaltungselektronik
Automotive-Elektronik
Das aktuellste Datenblatt für den STB120NF10T4 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, das Datenblatt herunterzuladen, um die vollständigen technischen Spezifikationen zu überprüfen und sicherzustellen, dass das Produkt Ihren Anforderungen entspricht.
Kunden werden ermutigt, ein Angebot für den STB120NF10T4 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt, indem Sie die Produktseite besuchen.
ST TO263
TO-92
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
ST TO-263
ST TO263
ST TO-263
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
STB120NF10 VBsemi
MOSFET N-CH 100V D2PAK
VBSEMI D2-PAK
ST TO-263
STB120NH03LT4 ST
ST TO-263
WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
STB120NF-10T4 ST
STB120NH03L ST
STB1277-Y AUK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/13
2025/01/15
2025/07/22
2025/08/1
STB120NF10T4STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|