Deutsch
| Artikelnummer: | STW65N80K5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 46A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.5127 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
| Serie | MDmesh™ K5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 23A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 446W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 46A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STW65 |
| STW65N80K5 Einzelheiten PDF [English] | STW65N80K5 PDF - EN.pdf |




STW65N80K5
Y-IC ist ein hochwertiger Händler für Produkte der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STW65N80K5 ist ein Hochspannungs-, Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er gehört zur MDmesh™ K5-Serie und besitzt eine Drain-Source-Spannung von 800 V sowie einen kontinuierlichen Drain-Strom von 46 A bei 25 °C.
800 V Drain-Source-Spannung
46 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
Geringer On-Widerstand von 80 mΩ bei 23 A, 10 V
Schneller Schaltvorgang und geringe Gate-Ladung
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Zuverlässige und langlebige Performance
Ideal für Hochspannungsund Hochleistungsanwendungen
Der STW65N80K5 ist in einem TO-247-3 Durchsteckgehäuse verpackt. Er verfügt über eine Verlustleistung von 446 W bei Gehäusetemperatur (Tc).
Das Produkt STW65N80K5 ist aktiv erhältlich. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie z. B. STW65N60K5 und STW65N75K5. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Schaltnetzteile
Motorenansteuerung
Industrieund Unterhaltungselektronik
Schweißgeräte
Haushaltsgeräte
Das offizielle Datenblatt für den STW65N80K5 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STW65N80K5 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Sonderangebot.
MOSFET N-CH 600V TO247-3
MOSFET N-CH 650V 65A TO247
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
STW60NM60Z ST
MOSFET N-CH 650V 58A TO247
MOSFET N-CH 600V 65A TO247
ST TO-247
DISCRETE
MOSFET N-CH 500V 68A TO247
ST TO-247
MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
STW6N100E ST
ST TO-247
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
ST TO-247
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STW65N80K5STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|