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| Artikelnummer: | STS10N3LH5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6562 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±22V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | STripFET™ V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STS10 |
| STS10N3LH5 Einzelheiten PDF [English] | STS10N3LH5 PDF - EN.pdf |




STS10N3LH5
stmicroelectronics
Der STS10N3LH5 ist ein N-Kanal-MOSFET in Gehäuse mit Oberflächenmontage im 8-SOIC-Format. Er zeichnet sich durch einen niedrigen RU0A0_on-Widerstand aus und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Energiemanagement und Schalttechnik.
N-Kanal-MOSFET
Oberflächenmontage im 8-SOIC-Gehäuse
Niedriger RU0A0_on-Widerstand
Breiter Betriebstemperaturbereich
Effizientes Energiemanagement
Zuverlässige und robuste Leistung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Streifen & Bahn (T & R) Verpackung
8-SOIC-Gehäuse (0,154
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Energiemanagement
Schaltanwendungen
Allgemeine Elektronik
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Zielpreis (USD)
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