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| Artikelnummer: | STL28N60DM2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.071 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 140W (Tc) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STL28 |
| STL28N60DM2 Einzelheiten PDF [English] | STL28N60DM2 PDF - EN.pdf |




STL28N60DM2
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Der STL28N60DM2 ist ein N-Kanal-MOSFET in einem PowerFlat™ (8x8) HV-SMT-Gehäuse. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 600V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 21A bei 25°C.
N-Kanal-MOSFET
600V Drain-Source-Spannung
21A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
PowerFlat™ (8x8) HV-SMT-Gehäuse
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Effiziente Energieumwandlung mit geringem On-Widerstand
Kompaktes Surface-Mount-Gehäuse
Der STL28N60DM2 wird im Tape & Reel (TR) Format verpackt. Das Gehäuse bietet hohe Spannungs- und thermische Eigenschaften, die sich besonders für Leistungselektronik eignen.
Der STL28N60DM2 ist ein aktives Produkt. Derzeit sind keine direkten Ersatzteile oder alternativen Modelle verfügbar. Bei Fragen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.
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