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| Artikelnummer: | STI13NM60N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.9788 |
| 10+ | $1.7763 |
| 100+ | $1.428 |
| 500+ | $1.1733 |
| 1000+ | $0.9721 |
| 2000+ | $0.9051 |
| 5000+ | $0.8716 |
| 10000+ | $0.8492 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAK |
| Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 90W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STI13 |
| STI13NM60N Einzelheiten PDF [English] | STI13NM60N PDF - EN.pdf |




STI13NM60N
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von STMicroelectronics, einem führenden Hersteller von Halbleiterprodukten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der STI13NM60N ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der überlegene Performance und Zuverlässigkeit bietet. Er gehört zur MDmesh™ II-Serie und ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieumwandlung und -steuerung konzipiert.
Hohe Drain-Source-Spannungsfestigkeit von 600V
Ständiger Drain-Strom von 11A bei 25°C (Tc)
Geringer On-Widerstand von 360mΩ bei 5,5A und 10V
Niedrige Gates-Charge von 30nC bei 10V
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C (Tj)
Herausragende Effizienz und Zuverlässigkeit bei Energieumwandlungsanwendungen
Reduzierte Energieverluste und verbesserte Systemleistung
Eignet sich für Hochspannungsund Hochleistungsanwendungen
Der STI13NM60N ist in einem TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA-Gehäuse verpackt. Er verfügt über eine Durchsteckmontage und eine Leistungsaufnahme von bis zu 90W (Tc).
Der STI13NM60N ist ein aktives Produkt, und derzeit sind keine Pläne zur Einstellung bekannt. Kunden werden jedoch empfohlen, sich für die neuesten Produktinformationen und Verfügbarkeiten direkt an unser Vertriebsteam über die Website zu wenden.
Schaltende Netzteile (SMPS)
Motorsteuerungen
Wechselrichter
Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das umfangreichste Datenblatt für den STI13NM60N ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, ein Angebot über unsere Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Angeboten zu profitieren und die besten Preise für den STI13NM60N zu sichern.
SQUARE THREADED INSERT:NYL NATUR
STI15NM65N ST
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
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SQUARE THREADED INSERT:NYL BLACK
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