Deutsch

| Artikelnummer: | STH6N95K5-2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9679 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H2Pak-2 |
| Serie | MDmesh™ K5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 950 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STH6 |
| STH6N95K5-2 Einzelheiten PDF [English] | STH6N95K5-2 PDF - EN.pdf |




STH6N95K5-2
Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Händler von STMicroelectronics, einem führenden Hersteller hochwertiger elektronischer Bauteile. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STH6N95K5-2 ist ein Hochvolt-N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der MDmesh™ K5-Serie von STMicroelectronics. Er überzeugt durch hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit für eine Vielzahl von Schaltanwendungen im Leistungselektronikbereich.
950 V Drain-Source-Spannungsfestigkeit
6 A Dauer-Sourcelaststrom (bei 25 °C)
Niedriger On-Widerstand von 1,25 Ω bei 3 A, 10 V
Hohe Eingangsimpedanz und schnelle Schaltgeschwindigkeit
Robustes Design für hohe Zuverlässigkeit
Hohe Spannungsverträglichkeit
Geringe Verluste durch geringe Leitungswiderstände für bessere Effizienz
Zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen
Eignet sich für verschiedenste Schaltkreise im Leistungsmoduleinsatz
Tape & Reel (TR) Verpackung
H2PAK-2 Oberflächenmontagegehäuse
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB Gehäuseoptionen
Optimiert hinsichtlich thermischer und elektrischer Eigenschaften
Das Bauteil STH6N95K5-2 ist ein aktiv erhältliches Produkt
Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein; bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für detaillierte Informationen
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Beleuchtungstromballasts
Wechselrichter
Industrielle und automotive Anwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den STH6N95K5-2 steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um stets die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Wir empfehlen unseren Kunden, über unsere Webseite sofort ein Angebot für den STH6N95K5-2 anzufordern. Profitieren Sie von unseren besten Preisen und schneller Verfügbarkeit!
FEED-THROUGH TERM BLOCK STUD TYP
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
STH6N100 ST
st TO3P
STH6NA60FI ST
ST TO3PF
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
ST TO220-2
ST TO-263
STH6NA80FI ST
ST TO3PF
STH6NA80 ST
ST TO-3P
ST TO3PF
ST TO3PF
STH5302 QFN20 STH
ST TO-3P
STH60N10 VB
STH6N100FI ST
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STH6N95K5-2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|