Deutsch

| Artikelnummer: | STH320N4F6-2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.7528 |
| 200+ | $2.6941 |
| 500+ | $2.6049 |
| 1000+ | $2.5596 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H²PAK |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STH320 |
| STH320N4F6-2 Einzelheiten PDF [English] | STH320N4F6-2 PDF - EN.pdf |




STH320N4F6-2
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Produkte von STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STH320N4F6-2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Strombelastbarkeit aus, was ihn für verschiedene Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung geeignet macht.
N-Kanal MOSFET
40V Drain-Source-Spannung
200A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 1,3 mΩ
Maximale Gate-Ladung von 240 nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Energieeffizienz durch niedrigen On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Breiter Betriebstemperaturbereich für robuste Leistung
Automobilqualifizierung für zuverlässigen Einsatz
Der STH320N4F6-2 ist in einem TO-263-3, D2PAK (2 Anschlussleitungen + Kühlfahne) Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Er wird in Cut-Tape (CT) und Digi-Reel® Verpackungsformat geliefert.
Der STH320N4F6-2 ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, unser Vertriebsteam über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu äquivalenten oder alternativen Modellen zu erhalten.
Stromversorgungsund Wandlerkreise
Motorsteuerung
Batterieaufladung und -management
Fahrzeugtechnik und Elektronik
Bitte besuchen Sie unsere Website, um die neueste Datenblattversion für den STH320N4F6-2 herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
ST TO-263
ST/TESLA DIP-7
ST TO-218
ST TO-263
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
ST TO-3P
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
ST TO-263-6
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
ST TO-263
MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
HINGED STUD TERM M3 50A 600V 22-
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/08/11
2024/06/14
2025/01/26
2025/03/28
STH320N4F6-2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|