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| Artikelnummer: | STGW60H65DFB-4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $7.621 |
| 10+ | $7.4656 |
| 30+ | $6.6628 |
| 90+ | $6.5591 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
| Testbedingung | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 65ns/261ns |
| Schaltenergie | 346µJ (on), 1.161mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-4 |
| Serie | HB |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 60 ns |
| Leistung - max | 375 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-4 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 306 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80 A |
| Grundproduktnummer | STGW60 |
| STGW60H65DFB-4 Einzelheiten PDF [English] | STGW60H65DFB-4 PDF - EN.pdf |




STGW60H65DFB-4
Y-IC ist ein Qualitätsverteiler von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STGW60H65DFB-4 ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von STMicroelectronics. Er ist für den Einsatz in verschiedensten Anwendungen der Leistungselektronik konzipiert.
Trench-Feldstopp-IGBT-Technologie
Collector-Emitter-Spannungsfestigkeit (VCES) von 650V
Collector-Strom (IC) von 80A
Puls-Strom (ICM) von 240A
Sättigungsspannung (VCE(on)) von 2V
Einschalt-Schaltenergie (Eon) von 346μJ
Abschalt-Schaltenergie (Eoff) von 1.161mJ
Gate-Ladung (Qg) von 306nC
Einschaltverzögerungszeit (td(on)) von 65ns
Ausschaltverzögerungszeit (td(off)) von 261ns
Reverse Recovery Time (trr) von 60ns
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C (TJ)
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Niedrige Leitungsund Schaltverluste
Robustes Design für anspruchsvolle Umgebungen
Eignet sich für vielfältige Anwendungen der Leistungselektronik
Der STGW60H65DFB-4 ist in einem TO-247-4 Gehäuse mit Through-Hole-Design verpackt. Das Gehäusekonzept bietet eine geeignete Pin-Konfiguration sowie thermische und elektrische Eigenschaften für den Einsatz in Leistungselektronik.
Dieses Produkt ist aktiv erhältlich. Es gibt gleichwertige und alternative Modelle von STMicroelectronics. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
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USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
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Industrielle Stromversorgungssysteme
Das offizielle Datenblatt für den STGW60H65DFB-4 steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen unseren Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
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