STMicroelectronics STGB8NC60KT4

Herstellerteilenummer

STGB8NC60KT4

Hersteller

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Detaillierte Beschreibung

Der STGB8NC60KT4 ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) aus der PowerMESH™-Serie, geeignet für eine Vielzahl von Leistungen in der Leistungselektronik.

Schlüsselmerkmale

- Spannungsfestigkeit - Kollektor-Emitter Durchbruch (Max): 600 V

- Stromstärke - Kollektor (Ic) (Max): 15 A

- Puls-Strom - Kollektor (Icm): 30 A

- Vce(on) (Max) bei Vge, Ic: 2,75 V bei 15 V, 3 A

- Max. Leistung: 65 W

- Schaltenergie: 55µJ (ein), 85µJ (aus)

- Eingabetyp: Standard

- Gate-Ladung: 19 nC

- Td (on/off) bei 25°C: 17 ns / 72 ns

Wichtigste Vorteile

- Zuverlässige und effiziente Leistungsschalterfähigkeiten

- Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik

- Kompakte und platzsparende Oberflächenmontage-Verpackung

Verpackung

- Verpackungsart: Rasterkarte (Cut Tape, CT)

- Gehäusetyp / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Kühlkörper), TO-263AB

- Geräteschutzverpackung: D2PAK

Lebenszyklus

Das Produkt STGB8NC60KT4 ist veraltet. Kunden werden empfohlen, sich über unsere Webseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

- Leistungselektronik

- Motorsteuerungen

- Wechselrichter

- Umrichter

Datenblatt

Das umfassendste Datenblatt für den STGB8NC60KT4 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, dieses herunterzuladen.

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