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| Artikelnummer: | STB7ANM60N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.5285 |
| 10+ | $1.3756 |
| 100+ | $1.106 |
| 500+ | $0.9087 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250mA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 45W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 363 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB7 |
| STB7ANM60N Einzelheiten PDF [English] | STB7ANM60N PDF - EN.pdf |




STB7ANM60N
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der STB7ANM60N ist ein Hochspannungs-N-Kanal-LeistungsmOSFET aus der MDmesh™ II-Serie. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen konzipiert.
600V Drain-Source-Spannung (Vdss)\n5A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C\nMaximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 900mΩ bei 2,5A, 10V\nMaximaler Gate-Ladung (Qg) von 14nC bei 10V\n±25V Gate-Source-Spannung (Vgs)\nMaximaler Eingangskondensator (Ciss) von 363pF bei 50V
Robust und zuverlässige Leistung\nEffiziente Stromumwandlung\nGeeignet für Hochspannungsanwendungen\nAutomobilqualität und Zuverlässigkeit
Der STB7ANM60N ist in einer TO-263-3, D2PAK (2 Anschlussleitungen + Kühlfahne), TO-263AB Leiterplattenmontagegehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leitfähigkeit.
Das Produkt STB7ANM60N ist ein aktives Bauteil. Derzeit sind keine direkten Alternativen oder Ersatzmodelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Schaltnetzteile\nMotorsteuerungen\nInverter\nUnterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)\nIndustrielle Automatisierung und Steuerung
Das neueste Datenblatt für den STB7ANM60N ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Ihnen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle technischen Details zu erhalten.
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