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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB7ANM60N
STMicroelectronics
STB7ANM60N Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

STMicroelectronics STB7ANM60N

Artikelnummer: STB7ANM60N
Hersteller / Marke: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Datenblätte:
1.STB7ANM60N.pdf ···

PCN -Design/Spezifikation

D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf

Datenblätter

STx7ANM60N.pdf

STB7ANM60N Seite PDF

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RoHs Status:
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  • STMicroelectronics STB7ANM60N technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics STB7ANM60N .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250mA
    Vgs (Max) ±25V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse D2PAK
    Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
    Verlustleistung (max) 45W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)
    Grundproduktnummer STB7
    STB7ANM60N Einzelheiten PDF [English] STB7ANM60N PDF - EN.pdf
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    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
    - Foto der Teile
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

STB7ANM60N Produktdetails

Herstellerteilenummer

STB7ANM60N

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.

Detaillierte Beschreibung

Der STB7ANM60N ist ein Hochspannungs-N-Kanal-LeistungsmOSFET aus der MDmesh™ II-Serie. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen konzipiert.

Schlüsselmerkmale

600V Drain-Source-Spannung (Vdss)\n5A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C\nMaximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 900mΩ bei 2,5A, 10V\nMaximaler Gate-Ladung (Qg) von 14nC bei 10V\n±25V Gate-Source-Spannung (Vgs)\nMaximaler Eingangskondensator (Ciss) von 363pF bei 50V

Wichtigste Vorteile

Robust und zuverlässige Leistung\nEffiziente Stromumwandlung\nGeeignet für Hochspannungsanwendungen\nAutomobilqualität und Zuverlässigkeit

Verpackung

Der STB7ANM60N ist in einer TO-263-3, D2PAK (2 Anschlussleitungen + Kühlfahne), TO-263AB Leiterplattenmontagegehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leitfähigkeit.

Lebenszyklus

Das Produkt STB7ANM60N ist ein aktives Bauteil. Derzeit sind keine direkten Alternativen oder Ersatzmodelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.

Schlüsselanwendungsbereiche

Schaltnetzteile\nMotorsteuerungen\nInverter\nUnterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)\nIndustrielle Automatisierung und Steuerung

Datenblatt

Das neueste Datenblatt für den STB7ANM60N ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Ihnen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle technischen Details zu erhalten.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden werden empfohlen, Angebote über unsere Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.

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Benutzerbewertung

  • Geor***cott

    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

    Works very well. I used AD8108ASTZ for video switching project. Stable and no noise problem.

    2026/03/20

  • Jaso***.

    Used the AD8108ASTZ in a video routing board and it worked perfectly. Clean switching and no noticeable signal degradation.

    2026/03/9

  • Devo***.

    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

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    Moderate quality chip. Works fine at room temperature, but in high temp conditions it seemed to drift. Not terrible, but not premium either.

    2026/02/28

  • Core***nalSourcing

    Service was efficient and polite. Components were packed well and labels were clear. Appreciated the attention to detail.

    2026/02/3

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    2026/01/28

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